氢钝化相关论文
石墨烯作为二维材料的旗舰材料,由于其卓越的物理化学属性,激发了人们的研究热情。但是石墨烯的零带隙的电子结构极大地限制了它的......
作为半导体材料,碳化硅由于其高临界击穿场强、高导热系数、高电子饱和、宽带隙、热膨胀系数小、介电常数小、化学稳定性好、热稳......
优化晶体硅材料的光学特性,可有效提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在钝化发射极和......
硅量子点由于其具有不同于体材料的光电性质,在硅基光电集成器件和光伏器件中被广泛应用。为了进一步提高器件的性能和降低制造成......
太阳能是取之不尽的重要新能源.在所有太阳电池材料中,晶体硅占据了80％以上的市场份额,是制造太阳电池最主要的基础材料.为了降低成......
本文采用第一性原理理论研究氢吸附Si表面和In吸附氢钝化的Si(100)面的结构和性质。 首先进行了H吸附Si低指数面的研究。用US-P......
超大规模集成技术的日益发展迫切需要研制硅基发光器件，以实现未来微型高速计算机芯片之间的光互联。晶体硅由于是间接带隙材料，其带......
提高硅的发光效率是实现硅基光电集成的前提，镶嵌在二氧化硅介质中的纳米晶硅(nc-Si：SiO)是实现硅发光的一条重要途径。本论文研究了......
采用第一性原理理论研究了In吸附氢钝化的Si（100）面的结构和稳定性.对In原子吸附结构的计算表明不同的重构表面其吸附结构也是不同的......
通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构。随后将......
多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低，被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电......
报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层（13～20nm厚）高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法，研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质......
应用微波光电导衰减仪的方法研究了在不同温度情况下引入铁沾污后再分别进行磷吸杂和等离子体增强化学气相沉积钝化处理对铸造多晶......
硅材料由于含量丰富、价格便宜、易于生长以及兼容性高等优点,相比其它半导体材料来说,具有明显的竞争力,是太阳能光伏产业中使用......
为了研究载流子选择性接触结构在N型晶硅电池钝化特性,本文设计了专门的材料结构。分析对比了不同掺杂浓度分布的材料结构在退火后......
采用等离子体增强化学气相沉积技术实现了nc-SiOx/SiO2多层结构薄膜在220℃的低温沉积,并对其450℃N2+H2形成气体退火前后的微结构......
本文在对比SiC和Si结构差别的基础上,总结了当今现在比较流行的氢钝化工艺,如沸水、沸氟化氢、氢气退火、等离子体处理等,并简要介......
利用太阳能电池发电是解决能源问题和环境问题的重要途径之一。目前，80％以上的太阳电池是由晶体硅材料制备而成的，制备高效率低成本的......
光伏发电是近年来发展最快的可再生能源技术之一,而晶体硅太阳电池占据了全球光伏市场90%以上的份额。硅材料尤其是多晶硅材料内的......
¨前太阳能电池行业多用管式PECVD法沉积氮化硅减反射钝化膜,然而管式设备对于实现薄膜沉积的均匀性有一定的局限,其原因在于反应......
单晶硅作为典型的半导体材料,目前已被广泛应用于微机电系统以及微纳加工领域。然而,伴随着器械尺度的不断微型化,由表面力引起的......
玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池因具有成本低廉、转换效率高以及性能稳定等优点引起了人们的广泛关注。详细阐述了玻璃衬底多晶硅薄膜......
