采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜．用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析，用X射线衍射方法分析了样品的结构，并用扫描电子显微......

采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布......

近几年来,具有类金刚石特性的氢化非晶碳膜(a—C:H)受到了越来越多的重视。本文详细综述了它的制备、结构、特性及应用。......