设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高ｘ值的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响......

将KrF准分子激光无铬接触式移相光刻应用于深亚微米HEMT栅图形加工，自行设计、组装了一套实验系统，很好地解决了这一器件制作的关键......

本文针对无铬掩模方式，从计算机摸拟和实验两个方面，研究了ＫｒＦ准分子激光（λ＝２４８ｎｍ）接触式移相曝光。得到了０．１μｍ的正胶线条。得出了在接触式相干平......

设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高Ｘ值的ＩｎｘｇＡ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响......

本文介绍了光刻技术的新进展,分析比较了各种光刻技术的自身优势,展望了它们的前景,探讨了它们在动态随机存取存储器(DRAM)进入G位......

将ＫｒＦ准分子激光无铬接触式称相光刻应用于深亚微米ＨＥＭＴ栅图形加工，自行设计，组装了一套实验系统，很地解决了这一器件制作的关键工艺问题，分别......