提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影......

Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器件在高频领域的应用.针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结......

本文建立了SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的准静态物理模型,讨论了器件结构中δ-掺杂层的杂质浓度与体征层厚度与空穴面密......

以半导体器件二维数值模拟软件Medici为工具,研究了应变SiGe沟道PMOSFET反型层量子力学效应(QME).模拟和对比了应变SiGe PMOS和Si ......

建立了含有δ掺杂层的SiGepMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型 ,并对该模型进行了数值分析 .讨论了静态时器件......