离化率相关论文
基于碰撞离化理论研究设计了In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺......
依据真空离子镀环境下靶电流之本质是真空腔内电子由阴极(靶材)向阳极迁移的通量，及在dV/dI>0向dV/dI0转变为dV/dI......
高功率脉冲磁控溅射技术是近年来发展起来的一种新型的物理气相沉积方法,等离子体密度可高达1018m-3数量级,靶材原子的离化率可高......
应用闭合磁场非平衡磁控溅射离子镀系统,研究了溅射靶电流、偏压和Ar流量对偏流密度的影响。结果表明,偏流密度随着偏压和靶电流的......
基于碰撞离化理论研究了异质材料超晶格结构对载流子离化率的作用,设计得到In_（0.53）Ga_（0.47）As/In_（0.52）Al_（0.48）As超晶格结构的雪崩光......
为了使高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术在保持高离化率的条件下实现HiPIMS高速沉积过程,采用电场与磁场双外场协同作用改善HiPIMS......
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针对磁控溅射镀料粒子离化率低和阴极电弧离子镀存在高温熔滴喷溅等技术不足,依据阴极磁场可约束氩离子对靶面的轰击区域,和在接收......
本文介绍了HIPMS技术放电等离子体的特点,即等离子体密度高、溅射材料离化率高、离子平均电荷数高、成膜离子比例大、离子能量高等......
<正> 根据1980年以来国内硬质涂层工艺和设备发展的情况,与国外同类技术发展的进程作了对比,就涂层材料、工艺方法、设备性能和推......
高功率脉冲磁控溅射技术是最新发展起来并受到广泛关注的一种高离化率物理气相沉积技术,它利用较高的脉冲峰值功率(超出传统磁控溅......
期刊
采用空心阴极电子束辅助多弧离子镀的方式在WC基体上制备了TiAlN薄膜,讨论了电子束能量的大小对膜层组织形貌及摩擦学性能的影响。......
高功率脉冲磁控溅射技术(HIPIMS)是最新发展起来并受到广泛关注的一种高离化率物理气相沉积技术。本文首先从高功率脉冲磁控溅射技......
高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)作为一种溅射粒子离化率高、可以沉积致密、高性能薄膜的新技术已经在国外广泛研究,但在国内尚未见......
磁控溅射发展于20世纪70年代,已经被广泛地应用于电子、光学、传感、机械、航空航天等高科技领域。但在应用过程中,人们也日益发现......
