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利用金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X......
利用高分辨X射线衍射仪（XRD）分析了长时间退火前后的GaN样品，通过对各个样品的（0002）面摇摆曲线进行线形拟合及分析，发现虽然退火后摇摆......
利用熔融KOH液对单层GaN腐蚀后进行二次MOCVD外延生长，对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致......
用Thomas Swan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜．采用多种化学腐蚀方法，如熔融KOH，H3PO4与H2SO4混合酸和HCl......
用阴极射线致发光（CL）法、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系．结果表明，GaN外延层......
<正>一、前言2014年10月7日,瑞典皇家科学院将诺贝尔物理奖授予了日本科学家赤崎勇(Isamu Akasaki),天野浩(Hiroshi Amano)和中村......
随着Ⅲ族氮化物外延技术的发展和器件制备工艺的进步,基于GaN的各类光电子器件发展迅速。为满足高性能大功率GaN基光电子器件和电......
