纳米晶硅相关论文
纳米硅-碳负极具有高比容量和适宜的嵌/脱锂电位,将其与高性能三元正极材料匹配,是最有可能应用于高性能锂离子电池的负极材料。然......
能源问题是人类亟需解决的问题之一。与传统的化石能与核能相比,太阳能作为一种清洁能源,由于其具有来源广、无污染、能量巨大等优......
硅是固态电子学和微电子产业的重要材料。但是硅是间接禁带半导体,不可以直接发光,且存在其它非辐射复合竞争,硅的光学性能比较差,......
微电子工业的飞速发展,迫切需要研制新型的、高效的半导体发光材料。硅是目前最重要也是应用最为广泛的半导体材料,然而硅是间接带......
本文综述了硅基薄膜材料的发展历程;提出了一些促进硅基薄膜电池技术进步的思路;并对硅基薄膜电池的发展进行了有益的探讨,对最新......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术制备n型纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜,系统地研究了沉积参数,特别是掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和......
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/S......
采用AFORS-HET软件对超薄异质结太阳能电池的窗口层、本征层的掺杂浓度、厚度、带隙等参数进行了数值模拟和优化,结合实际具体分析......
摘 要：采用AFORS-HET软件对超薄异质结太阳能电池背面场的掺杂浓度、厚度、带隙等参数进行数值模拟和优化，结合实际具体分析了每个参......
报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅,其喇曼散射表明,在所形成的纳米晶硅在薄膜中分布是随机的,其......
用脉冲激光（Nd：YAG激光）沉积技术在硅基上沉积富硅SiO2薄腊（SiOx，x〈2），沉积时氧气压力分别为1．33，2．66，3．99，5．32，6．65，7．98Pa，膜的厚度约为300nm。随......
为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98%,衬底温度200℃,反应气压1......
报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,......
采用脉冲激光沉积制备了掺铒Al2O3／Si多层薄膜，在淀积过程中脉冲激光溅射产生的高能量Er原子渗透进入非晶硅层，并引入了额外的应力，在......
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法（DMOL3程序），在广义梯度近似（GGA）下，计算了硅纳米晶（Si75 H76）在B和P掺杂和乙基（-C H2 C H3）、异丙基......
本文报道对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅(nc-Si),其Raman散射表明,在所形成的nc- Si在薄......
用CO2红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大,则SiH4受热温度越高,纳米Si的成核率越高,纳米Si核的密度越大,每一......
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备了富硅氧化硅薄膜,利用XRD衍射仪,傅里叶变换红外透射光谱仪以及紫外-可见光分光光度计......
采用热丝化学气相沉积技术（HWCVD），系统地研究了纳米晶硅层（尤其是本征缓冲层）的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si：H／c-Si异质结太......
通过等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备粒径大小可以控制的硅纳米晶体,并对制备的纳米晶硅进行了在线表面改性.实验结果表明：成......
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢......
采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜．对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析．结果表明，在高温退火......
随着科学技术的发展,现有的微电子技术已难以满足由其支撑的现代电了技术不断提出的更高要求。用光子代替电子作为信息的载体,从微......
采用射频磁控溅射镀膜系统,在玻璃衬底上制备了非晶硅(α-Si)/铝(Al)复合薄膜,结合氮气(N2)气氛中低温快速光热退火制备了纳米晶硅......
