本文通过求解Poisson方程,建立了具有Si/SiO2界面电荷的SOI高压器件新结构纵向耐压模型,该模型表明,在硅和埋氧层界面上引入界......

SOI基扫描驱动芯片是PDP显示器发光显示的核心芯片,其性能直接决定着图像显示的质量。由于SOI基扫描驱动芯片是一款基于SOI材料上......

碳化硅垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Silicon Carbide Vertical Double-Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef......

提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构，称为SBLDMOS．通过在高阻P型衬底背面注入N^＋薄层，衬底反偏电压的电场调......

SOI(Silicon On Insulator)器件及集成电路具有泄漏电流小、寄生电容小、功耗小、集成度高、抗辐射能力强等优点。高压SOI SPIC(Sm......

理论推导了绝缘体上硅（SOI）双槽隔离结构的耐压模型．该模型表明，在S0I双槽隔离结构中，因隔离氧化层压降的不均衡，高压侧隔离氧化层提前发......