衬底偏压相关论文
本文对椭偏技术的历史、应用、发展趋势、基本原理、测量方法和数据分析等几个方面进行了描述,介绍了椭偏仪的种类和国内外研制、......
本文以磁过滤真空阴极弧(Filtered Cathodic Vacuum Arc)技术制备的DLC薄膜为研究对象。通过改变衬底偏压和沉积时间研究磁头表面......
研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V...
利用过滤阴极真空电弧系统制备了不同衬底偏压下非晶金刚石薄膜,分别采用X射线反射法测定了相应的非晶金刚石膜密度,分析了薄膜密......
采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影......
从能量和结构两个角度分析了BN四种相的转变过程,以及杂质和缺陷对立方氮化硼(c-BN)薄膜制备的影响.研究了从六角氮化硼(h-BN)到c-......
在HFCVD系统中施加栅极偏压和衬底偏压，采用双偏压成核和栅极偏压生长的方法成功制备了高质量的纳米金刚石薄膜。采用显微Raman高分......
针对绝缘体上硅（SOI）器件较低的纵向耐压，提出一种基于衬底偏压（SB）的部分SOI（PSOI）横向高压器件新结构。在衬底偏压的作用下，部分漏端电场......
研究了pMOSFET中栅控产生电流（GD）的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬......
采用直流磁控溅射方法，以Ar／N2（N2／（Ar＋N2）=10％）为放电气体，在Si（100）单晶衬底上获得了γ＇-Fe4N薄膜样品。利用x射线衍射（XRD）和振动样品磁强计（VSM......
以Zn：Zr（Zr片贴在金属Zn靶上面）为溅射靶材，利用直流反应磁控溅射法在Ar／O_2混合气氛中制备Zr掺杂ZnO（ZnO：Zr）薄膜．在制备ZnO：Zr薄膜时，衬底偏......
采用磁控溅射技术,通过改变衬底偏压在室温下制备系列VC薄膜,并考察衬底偏压对VC薄膜晶体结构、硬度及摩擦磨损性能的影响,建立相......
提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构，称为SBLDMOS．通过在高阻P型衬底背面注入N^＋薄层，衬底反偏电压的电场调......
探索了原子氢在各类制备条件下对纳米金刚石薄膜生长所起的作用,指出贫氢环境并不是纳米金刚石薄膜制备的必备条件,原子氢与Ar在贫......
合适的衬底偏压是物理气相沉积制备cBN的必须条件,本文采用基于蒙特卡洛方法的SRIM软件对PVD过程中离子轰击衬底进行了分析,并进行......
采用平衡直流磁控溅射技术,通过改变衬底偏压在玻璃衬底上制备了Cu/Cu2O 弥散复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、四探......
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究。CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行,......
传统化石能源的日益减少以及由其造成的环境的污染迫使我们必须开发清洁的可再生能源。太阳能光伏发电是一种直接将太阳能转化为电......
采用过滤阴极真空电弧技术并施加一定的衬底负偏压,在P(100)单晶硅片上制备出四面体非晶碳薄膜利用可见光Raman光谱研究薄膜的结构......
主要研究了横向AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(简称SBD)的正向导通特性,设计制备了基于蓝宝石衬底和硅衬底的不同器件结构的AlG......
