薄膜电阻率相关论文
二氧化钒是一种具有特殊相变性能的功能材料.随着温度的变化,二氧化钒会发生从半导体态到金属态的可逆变化,同时,电阻率和光谱透射......
该课题主要研究了以VO为基的抗激光致盲工作原理和VO薄膜制备的工艺,以大量的国内外文献作为参考独自摸索出了采用反应离子溅射以......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构,在光电、压电及磁电子等诸多领域都具有优......
Cu3N薄膜由于具有高电阻率,低热分解温度,在红外和可见光波段与Cu单质的反射率有明显的差别,使其在光学存储,高速集成电路以及太阳......
基于虚拟仪器技术及Rymaszewski四探针双电测组合法设计了薄膜电阻率自动化测量系统.在虚拟仪器软件LabVIEW和数字量输出模块NI 94......
在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中，后段工艺日趋重要，为降低阻容迟滞(RC Delay)，保证信号传输，减小功耗，有必要对后段工艺进行......
学位
在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下，利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜，系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及......
研究了一种新型透红外的导电薄膜铜铝氧化物（CuAlxOy），选用高纯度铜、铝靶材，利用磁控溅射台在蓝宝石衬底上生长CuAlxOy薄膜。研究了氧......
电阻率是电子材料的重要性能参数,薄膜电阻率的测量备受关注。采用传统四探针电阻率测量方法测量薄膜电阻率,需要加入较多的修正才......
