本文用GEN-ⅡMBE设备生长AlGaAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的材料,并用范德堡法、电化学C-V法和PL谱法研究了该材料的性......

用GEN-Ⅱ MBE设备生长AlGaAs/GaAs调制掺杂结构材料.通过对MBE生长工艺中影响GaAs,AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了......

自组织生长的量子点是一种零维纳米结构，其可以对电子或者空穴在三维方向上进行限制并且易于与Ⅲ-Ⅴ族器件集成，近年来在固体物理和......

为了进一步改善Si/SiC异质结光电二极管的性能，本文采用类似掺杂超晶格的结构，止Si层由多个具有量子尺寸的p型薄层和n型薄层周期性地......

研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ ｎ型调制掺杂结构样品的光致光发及其激光光谱，当空穴态被局域化后，二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应；导带......