超薄基区相关论文
通过分析SiGe HBT超薄基区中非平衡效应对载流子温度,扩散系数等参量的影响,建立了超薄SiGe HBT基区渡越时间模型.......
分析了不同温度下超薄基区SiGe HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化,并给出了实验比较.......
负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效......
利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs／GaAs负阻异质结双极晶体管，该器件具有独特且显著......
通过求解玻尔兹曼能量平衡方程，得出基区的电子温度分布，建立了考虑电子温度变化，适用于超薄基区SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型......
