SiGe异质结双极晶体管相关论文
SiGe异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)具有高输出功率、优异的高频特性、较高的线性度，且与成熟的Si工艺......
相对于同质结晶体管,异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在,电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定,因此可以通过增加......
通过分析SiGe HBT超薄基区中非平衡效应对载流子温度,扩散系数等参量的影响,建立了超薄SiGe HBT基区渡越时间模型.......
研究了国产结构参数近似的SiGe HBT与Si BJT在60γ射线辐照前和不同剂量辐照后性能的变化,并作了比较.辐照后集电极电流Ic变化很小......
期刊
一条宽带双反馈的低噪音放大器(LNA ) 被分析，设计并且实现了使用 SiGe 异质接面双极的晶体管(HBT ) 技术。设计分析以获得，匹配的输......
研究了国产结构参数近似的SiGeHBT与Si BJT在^60Coγ射线辐照前和不同剂量辐照后性能的变化，并作了比较。辐照后集电极电流Ic变化很......
设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面......
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流......
基于Jazz0．35μmSiGe工艺，设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配SiGeHBT低噪声放大器．利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶......
研究了国产SiGe异质结双极晶体管（HBT）^60Coγ射线100Gy（Si）－10kGy（Si）总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性．测试了辐照及退火后的直......
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,......
介绍SiGe异质结双极晶体管HBT的优点、特性、结构、工艺和应用。...
介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有......
基于Jazz0．35μmSiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802．11a标准的低噪声放大器．采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽；完成了芯片......
宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利......
