基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构,并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较.给出了单轴〈111〉应力作用下......

报道了分子束外延生长 Ｈｇ０．６８ Ｃｄ０．３２ Ｔｅ 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光......

通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光（Photoluminescence,PL）光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响......