价带结构相关论文
光伏行业的新秀钙钛矿薄膜太阳电池,以其制备工艺简单、高效率低成本的优势受到众多科研工作者的广泛关注.被《Science》评选为201......
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构,并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较.给出了单轴〈111〉应力作用下......
基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si_(1-x)......
本文讨论四个问题：1,居里温度在室温以上的稀磁半导体材料：鎵锰氮；2,圆偏光电流效应(CPGE)与价带结构的关系,ZnO和GaN价带结构的......
基于kp微扰理论，通过引入应变哈密顿微扰项，推导建立了双轴应变Ge(100)价带色散关系模型。模型适于任意晶向弛豫Si1-xGex虚衬底......
本文基于k·p微扰理论,考虑了自旋轨道耦合与应变因素,运用数值方法解得应变Si(001)的价带E-k关系表达式.通过计算分析,得到了应变......
该文运用能量表象方法计算了lnGaAs／lnGaAsP应变补偿量于阱的能带结构和状态密度，分析了应变补偿效应对其能带结构和状态密度的影响，......
基于应变硅的金属氧化物场效应晶体管是下一代CMOS技术非常有希望的候选者并且在65nm技术中已经开始应用。对于电子迁移率在这些异......
以ZnO为代表的氧化物半导体材料的研究是目前国内外非常感兴趣的课题，自从1996、1997年陆续报道了ZnO薄膜的室温光泵浦紫外激射、及......
本文提出一种多阱能量表象方法用来分析应变补偿多量子阱的价带结构。这一方法是把应变补偿多量子阱的价带Γ点ｚ方向重轻空穴的能量......
用6×6Luttinger-Kohn模型结合平面波展开方法计算了应变量子阱材料的价带结构，分析了用来展开的平面波的数目和周期对能量本征......
由于电子和空穴迁移率远高于应变Si，且其与Si工艺有良好的兼容性，Ge及应变Ge将成为16nm及更小特征尺寸的金属氧化物半导体场效应晶体......
