GaAs金属半导体场效应管（GaAs MESFET）广泛应用于卫星、雷达、电子对抗等领域,在微波器件及集成电路中独树一帜。随着国内微波技术的......

在微波功率器件中,晶体管微波大信号的研究,一直是人们关注的问题。本文就对GaAsHEMT大信号进行研究。首先建立了GaAsHEMT的大信号......

功率放大器是射频收发信机的重要组成部分,它的性能直接影响到整个系统的性能,因此各种功率放大器的性能分析成为热点。文中使用Vo......

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108 Ωcm,有利于降低寄生电容,......

报告了4H-SiC MESFET的研制.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120 μm n沟道4H-SiC MESFE......

对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃......

研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,......

介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出......

砷化嫁（GaAs）晶体是一种电学性能优越的Ⅲ一V族化合物半导体材料,以其为衬底制作的半导体器件及其集成电路由于具有信息处理速度快、......

介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型，并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和......

功率放大器是射频收发信机的重要组成部分,它的性能直接影响到整个系统的性能.文中使用Volterra级数法对MESFET功率放大器单频时的......

砷化镓的表面钝化是一个长期未能很好解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力，但它的化学稳定性仍不够理想......