金属诱导横向晶化相关论文
本文首先对显示技术的发展和多晶硅薄膜的制备方法以及应用前景进行了综述,同时对Ni金属诱导非晶硅横向晶化制备多晶硅的研究现状......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在普通玻璃衬底上低温(600℃以下)制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点.采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si......
期刊
详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响.结果显示,晶化生长速度受温度影响较大,其最大生长速度在625℃附近......
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能......
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄......
在普通玻璃衬底上低温（600度以下）制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点，采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si TF......
系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法（Cat-CVD）以及电感耦合等离子体化学气相沉积法（ICP-CVD）制备低......
低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS-TFT）驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而，传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、......
研究了用Ni进行金属诱导横向晶化（MILC）制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化，改进了MILC的结构，通过在坦层氧化层上开出与衬......
详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响.结果显示,晶化生长速度受温度影响较大,其最大生长速度在625℃附近......
详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5......
低温多晶硅薄膜是制备高性能薄膜晶体管的首选材料,由其制成的薄膜晶体管由于在平板显示器件驱动中所展现的优越性能而受到广泛关......
