晶粒间界相关论文
通过对晶粒间界两侧耗尽区建立准二维模型，研究晶粒间界电荷分享效应对多晶硅薄膜晶体管阈值电压的影响。研究表明，考虑了晶粒间界电......
YBa2Cu3O7-δ系列超导体是高温超导材料中研究最多和应用最为广泛的超导体之一。本文概括介绍了国内外有关烧结法制备YBa2Cu3O7-δ......
间接地由 etch 坑方法调查 Fe-36wt%Ni 因钢合金的脱臼行为，擦亮的因钢标本被包含 4 g 铜硫酸盐的一个答案蚀刻， 20 mL 盐酸酸，和 20 ......
提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性......
给出了多孔的金属氧化物半导体气敏晶体的既含晶粒间界传感作用又含晶粒缩颈传感作用的截面电导公式.又利用前文中所求得的Poisson......
由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释......
研究了用Ni进行金属诱导横向晶化（MILC）制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化，改进了MILC的结构，通过在坦层氧化层上开出与衬......
介绍了消除多晶Si太阳电池薄膜中缺陷的各种钝化方法，主要包括利用氢等离子体、SiNx：H薄膜、Se单原子层、二元（Al2O3）x（TiO2）1-x合金、Si......
采用直流磁控溅射法在p型〈100〉晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,......
本文对于低压化学汽相沉淀方法沉积的多晶硅薄膜的电导性能进行了研究,并与大气压下沉积的薄膜的导电性能作了比较。低压薄膜在580......
随着信息时代的发展,在显示技术领域中,有源驱动平板显示技术的发展越来越广泛和深入。薄膜晶体管(Thin-film Transistor,TFT)作为......
多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFT)由于具有高迁移率、更快的开关速度和更高的电流驱动能力,在有源矩阵液晶显示(AMLCD)等领域具有广......
提出ZnO薄膜晶体管的一种新型结构——双栅复合介质结构,并利用ATLAS软件对双栅复合介质结构与双栅单介质结构进行仿真。对比分析......
