晶粒间界相关论文
本文对多晶硅薄膜光生载流子的迁移率、复合率以及陷获电子浓度、陷获空穴浓度等进行了理论推导.以此为理论基础,建立了一个多晶硅......
研究了用 Ni进行金属诱导横向晶化 ( MIL C)制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化 ,改进了MIL C的结构 ,通过在埋层氧化......
研究了不同处理态Al-3Li-0.17Zr合金冲击、拉仲等力学行为,用电子显微镜对其显微组织结构、变形和断裂,特别是晶界断裂的特征进行......
2101Al-Mg合金是我国根据船舶工业需要创制的一种新型合金,该合金具有中等强度、良好的耐蚀性和优良的焊接性。性能试验和电镜观......
对铁素体钢的大量研究工作表明,细化铁素体晶粒尺寸会同时提高钢的强度和冲击韧性。石川圭介研究了 V,Nb,Ti等细化晶粒元素对轧制......
本文对CW Ar~+激光再结晶SOI结构材料进行了氢等离子体退火和CW CO_2激光退少.结果表明,两种退火方法都可以明显地降低背界面的界......
本文系统地研究了多晶硅薄膜载流子迁移率与掺杂浓度的关系,发现不仅如前人所指出的那样,多晶硅载流子迁移率在中等掺杂区有一极小......
对于多晶硅薄膜电池进行计算机模拟时，由于多晶硅薄膜中晶粒间界的存在，一维条件下的电池模型已不再能满足要求。因而本文中采用sILV......
用传统固相法合成了CuBiV联合掺杂的ZnNbO微波介质陶瓷,通过XRD,SEM,EDS等对其微结构进行了系统的研究,并利用HP8720ES型网络分析......
该论文集收集论文10篇，其主要内容为板材成型的计算机模拟，电触头材料的现状和发展，铁磁性阻尼合金的特性及应用问题，电子聚合物材料的......
为了研究纯金属疲劳过程中晶界及其结构的作用，选用应变退火技术制备的高纯铝复晶试样，在室温大气环境下做了应力控制的拉压疲劳实验......
该文用电子金相观察了GH49合金两种不同的晶介状态在蠕变断裂过程中位错亚结构的变化组态，并研究了位错与晶内γ相及晶介碳化物沉淀......
本文利用EM400T透射电子显微镜和EDAX9100能谱仪研究微量元素在晶界的偏聚。通过本文采用的电子束直径小到40A的微探针,低背底样品......
该文研究了铍青铜（QBe[*v2*]）不连续析出的组织形态、相结构及胞状不连续析出的形成机制。光学及电子显微镜观察证明，QBe[*v2*]合金中......
采用不同温度进行中间热处理，以改变晶界沉淀相的类型、形态和数量。测定了室温和－196℃的冲击韧性。用扫描电镜和电子显微镜观察了......
在两种晶界状态下研究了Fe-15G-25Ni合金高温蠕变行为。在850和950℃以及14.7～78.4MPa应力范围内，单相合金表现出典型的回复蠕变行为......
作者研究了多晶纯铝和多晶纯铜在蠕变过程中晶界内耗和弹性模量的变化。实验结果表明，在蠕变过程中晶界强度是变化着的，即它不仅是试......
多晶金属材料中普遍存在中温脆性，它的存在严重地影响了材料的使用性能。该文将晶内和晶界视为两个“相”，在等应力模型的前提下，分别......
为了研究纯金属在疲劳过程中其晶界结构的作用，选用由应变退火技术制备的高纯铝复晶试样，在室温大气环境中做了应力控制的拉压疲劳实......
在晶粒间界缺陷态的场致发射理论的基础上，考虑了多晶硅ＴＦＴ关态时的寄生双极晶体管效应，提出了一个简单的物理模型，得到了关态电流与栅压......
近年来,纳米材料、多层膜巨磁阻及其它人工合成多界面新材料的不断出现,界面结构及其物理性质的研究倍受人们重视.该文将对晶界的......
用配有X－射线能谱的扫描电镜及光学显微镜观察了400，480度及580度，经不同时间，Ag膜／Cu块扩散对中Ag沿Cu晶界扩散诱发的晶界迁移（DIGM）现象......
The potential barrier(or“grain boundaries”)of SnO2 gas sensor is the dominant factor of conductivity.A new simple meth......
实验发现,纯铁经渗稀土处理后,其表层出现一细晶粒区域。将两种不同晶粒尺寸的20、20CrMnTi及45钢经相同稀土碳共渗工艺处理后还发......
通过对晶粒间界两侧耗尽区建立准二维模型，研究晶粒间界电荷分享效应对多晶硅薄膜晶体管阈值电压的影响。研究表明，考虑了晶粒间界电......
YBa2Cu3O7-δ系列超导体是高温超导材料中研究最多和应用最为广泛的超导体之一。本文概括介绍了国内外有关烧结法制备YBa2Cu3O7-δ......
采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＾＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱......
两种行之有效的晶粒间界限制技术:热沉结构和硅槽结构使区熔再结晶SOI实现定域无缺陷,这是采用区熔技术制备SOI的技术关键和难点所......
利用硼径迹显微照相(PTA)技术研究了体心立方Fe—3%Si合金试样在冷却和淬火等温过程中硼向晶界的偏聚行为结果表明:Fe-3%Si合金中......
运用嵌入原子法势函数和静态驰豫最陡梯度的计算方法,原子模拟了Ni_3Al合金中晶界与位错的交互作用.主要研究了晶界与位错交互作用......
本文通过混合晶界效应模型，对[PbCl2)0.56(PbO)0.45](1-x)(KCl)x体系中当0．05≤x≤0．22时为x≤0.03(主相为3PbCl2.2PbO)和x=0.25(主相......
间接地由 etch 坑方法调查 Fe-36wt%Ni 因钢合金的脱臼行为，擦亮的因钢标本被包含 4 g 铜硫酸盐的一个答案蚀刻， 20 mL 盐酸酸，和 20 ......
晶界也是一种界面。表面张力是晶界的一个重要的热力学量。本文采用计算机分子动力学模拟(CMD)方法计算 α-Fe,∑=9 的晶界在不同......
本文提出了晶粒间界电流调整的新概念，讨论了晶粒间界的少数载流子复合以及晶粒间界的少数载流子迁移率和寿命。利用新概念对多晶硅......
提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性......
用俄歇谱仪和扫描电镜研究了锡、磷、稀土在α铁晶界上的偏聚行为及它们之间的交互作用。结果表明、锡、磷和稀土均有在α铁晶界上......
给出了多孔的金属氧化物半导体气敏晶体的既含晶粒间界传感作用又含晶粒缩颈传感作用的截面电导公式.又利用前文中所求得的Poisson......
由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释......
研究了用Ni进行金属诱导横向晶化（MILC）制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化，改进了MILC的结构，通过在坦层氧化层上开出与衬......
利用正电子湮灭技术研究了氧化锌的非线性电阻效应。由短寿命τ_1及其成份I_1随电流i变化曲线同压降曲线的相似性证明该成份属于传......
