钨膜相关论文
金刚石/铜复合材料具有密度低、热导率高及热膨胀系数（CTE）可调等优点，与核心芯片具有良好的热匹配性能，在高热流密度电子封装领域具有......
通过w(CO)6化学气相沉积(MOCVD)工艺,在碳纤维表面沉积得到了碳化钨膜材料,研究了碳纤维表面沉积碳化钨膜的工艺条件.结果表明......
本文采用直流磁控溅射方法在硅基底上沉积纯钨膜，用扫描电镜(SEM)方法检测到钨膜的厚度约为560nm.首先在该批钨膜样品中注入能......
采用磁控溅射方法在Si(100)基体上沉积超薄钨(W)膜。用激光应力仪、四探针测试仪及纳米压入仪分别研究了薄膜的残余应力、电阻率及......
w基金属材料由于具有高熔点、低溅射率、低氢滞留及其良好的机械性能等优点,被认为是国际热核聚变堆(ITER)面向等离子体第一壁材料......
<正> 斯坦福大学最近研制了一种以超导渡越界传感器(transition edge sensor)为主要元件的新型光学探测器。科学家们希望有朝一日......
Tungsten film(W film) is deposited by using the ion beam assisted deposition(IBAD) on the 316 L substrate surface in thi......
本文全面系统地综述了钪酸盐钡钨阴极的发展趋向,并着重说明端层压制W+Sc2O3的浸渍型阴极发射电流密度大,抗离子轰击能力强的特性......
在磁约束核聚变中,面向等离子体的部件必需能承受高的热载荷(在转向器中高达1 0MW/m2),且在高能等离子体轰击下溅射量低.目前大多......
针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要，研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀.得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气......
以模板效应为手段，在单品Si-（100）基片上借助预先沉积的Mo膜成功制备出共格生长的α-W薄膜．用X射线衍射、场发射扫描电镜和高分辨透射......
本文报道用XeCl准分子激光分解W（CO）6气体分子沉积钨膜，面积约2．6cm^2，测量了膜层的厚度，电学性质和光学性质，并用扫描电镜观察了膜层的微......
