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随着GLSI的高度集成化和立体化,晶体管特征尺寸的不断缩小以及新材料的引入,对CMOS晶体管性能的要求不断提高。45nm及以下特征尺寸......
随着集成电路（IC）技术的不断发展和器件特征尺寸的持续降低,为获得IC高集成化、高功能化、高速化和低功耗,高K介质/金属栅（HKMG）制程代......
探讨了抛光液组成和机械抛光工艺参数（包括抛光压力、转速、抛光液流速和抛光时间）对铝栅化学机械抛光过程中铝的去除速率的影响，确定......
采用由5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、4%H2O2、1%FA/O型螯合剂和0.0%~2.5%多元胺醇型非离子表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行......
氧化剂作为抛光液的组成成分,在铝栅化学机械抛光(CMP)中起到直接影响去除速率和表面粗糙度的重要作用。本文研究了氧化剂浓度对去......
铝栅工艺一直以工艺简洁高效而著称,主要应用于中低端消费类电子产品。随着其应用领域的进一步加深,迫切需要将器件的沟道长度进一......
