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利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜，薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。......
非晶氧化物半导体薄膜晶体管(AOS-TFTs)由于其具有器件迁移率高,可见光区域透明性好,大面积均匀性优良等特点,有望取代传统的硅基......
本论文研究分析了射频磁控溅射制备沟道层的工艺条件对氧化物薄膜晶体管稳定性的影响。实验中以不同的沟道层工艺条件制备了铟锌氧......
本课题以研发新型氧化物半导体沟道层材料为目的,研制了以非晶掺钨氧化铟锌(a-IZWO)薄膜作为沟道层,氧化铝薄膜作为介质层的薄膜晶......
本文低温制备了以铟锌氧化物(IZO)为沟道层、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层的薄膜晶体管。由反应直流磁控溅射法沉积无机IZO沟道......
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