阻变式随机存储器相关论文
忆阻器由于其阻变行为的不同,可以分为数字型忆阻器和模拟型忆阻器,分别应用于阻变式随机存储器和神经突触器件仿生等方面。其中,......
忆阻器作为第四种基本电子元件,因其独特的非线性特性、神经突触特性、非易失性、纳米级的尺寸和低功耗等特性,在许多领域,尤其是......
阻变是指经过外加电压的调控可以在高阻态和低阻态重复转变现象,已经在很多金属/阻变介质/金属结构中观察到,这种阻变特性可以用来......
金属化是现代IC工艺的一个重要组成部分,目前铜已经取代铝而成为主流互连材料。铜互连纳米多层膜体系的力学特性,如硬度与弹性模量......
依赖于浮置栅极结构的传统存储器件闪存受限于其物理本质遭遇了发展瓶颈,为了满足快速发展的信息存储需求,新一代存储器件的研发势......
研究了基于Cux SiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60Co释放出的y射线模拟空......
忆阻器被认为是除电阻、电容、电感之外的第四种基本无源电子器件。其阻值能够随流经电量而发生改变，并且记住它的状态。近年来，忆阻......
21世纪大数据时代对高密度信息存储需求越来越迫切,传统闪存存储器面临21nm技术节点的物理尺寸极限,越来越难以满足与日俱增的高密......
