Cu互连相关论文
随着超大规模集成电路(VLSI)工艺的发展及低介电常数(k)材料的引入,芯片及测试结构对于水汽侵入的影响愈加敏感,从而对Cu互连可靠......
提出了一种基于扩散-蠕变机制的空洞生长模型,结合应力模拟计算和聚焦离子束分析技术研究了Cu互连应力诱生空洞失效现象,探讨了应......
自1997年IBM公司发布了可用于集成电路生产的铜布线工艺后,铜互连逐渐占据了集成电路生产的主导地位。但随着集成电路设计水平和特......
本论文在综合分析了传统的扩散阻挡层性能的基础之上，结合有关非晶阻挡层研究的现状和理论知识，采用溅射的方法，制备了三元非晶扩散......
在高纯N2/Ar气氛中，利用反应直流磁控溅射方法在SiO2/Si基底上沉积了Ta-N、Cu/Ta/Ta-N及Cu/Ti/Ta-N薄膜，研究了不同制备工艺对Ta-N薄......
探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于......
采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层......
以一种新的三元非晶化合物薄膜作为Cu互连的阻挡层,采用射频磁控溅射法构架了Cu(120 nm)/Ni-Al-N(10nm)/Si的异质结。利用四探针测......
以非晶Ni-Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料,采用射频磁控溅射法构架了Cu/Ni-Al/Si的异质结。利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针......
用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备Ta-Si-N（10 nm）/Zr（20 nm）双层结构的扩散阻挡层。Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品在高纯氮气......
集成电路（IC）的快速发展对ULSI布线系统提出了更高的要求。本文通过对ULSI互连布线系统的分析,在介绍了ULSI新型布线系统的同时,尝试......
为研究铜互连系统中各因素对残余应力及应力迁移失效的影响,建立了三维有限元模型,用ANSYs软件分析计算了Cu互连系统中的残余应力......
为了降低集成电路中的互连延迟，采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺，以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构，借鉴MEMS工艺的牺牲层技......
用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备了25nm的纳米晶Zr-N阻挡层，Cu／Zr-N／Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针......
用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方法分别在Si（100）衬底和Cu膜间制备了30nm的NbN薄膜,Cu/NbN/Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。......
应用射频磁控溅射法在（001）Si衬底上制备了Cu（120nm）/Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）/Si异质结,借助原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）和四探针测试仪（FPP）......
简要介绍了集成电路的发展趋势及其带来的相关问题和解决办法。综述了国内外对Cu互连扩散阻挡层的制备方法与工艺、阻挡层的选材、......
超大规模集成电路Cu互连中的核心技术之一是制备性能优异的扩散阻挡层。本文采用直流磁控反应溅射在N2／Ar气氛中制备了不同组分比的......
针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变......
采用二次离子质谱仪（SIMSl测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能；采用X射线衍射仪（XRD）测量了沉积态有Ta阻挡层和无......
采用射频磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Ta-Si-N(10nm)/Ti(20nm)双层结构的扩散阻挡层。Cu/Ta-Si-N/Ti/Si样品在高纯......
集成电路（IC）的发展日新月异,随着线宽缩小,集成复杂度不断提高,由互连结构所产生的RC延迟已成为制约芯片运行速度的主要因素。Cu以......
在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备Ta-N/Zr阻挡层,研究Zr层的插入对Ta-N扩散阻挡性能的影响。结......
目的制备15 nm的(AlCrTaTiZrMo)N六元高熵合金氮化物薄膜,并对其扩散阻挡性能进行表征。方法使用直流磁控溅射设备在单晶硅上沉积(......
随着集成电路深亚微米工艺的发展，Cu成为新一代的互连材料。为了防止Cu扩散进Si器件中引起器件性能受损以及提高Cu与Si、SiO2的粘附......
随着集成电路特征尺寸的缩小,互连RC延迟和可靠性已成为制约芯片性能和可靠性的主要因素,因此需要研究新的材料和工艺。粘附层/阻......
铜互连的超薄扩散阻挡层材料及工艺研究一直是铜互连研究领域的前沿课题。在亚16纳米以下节点,人们一直在探索新型阻挡层材料。Ru......
低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45nm芯片制造的标准工艺。90nm工艺要求k=3.0～2.9,65nm工艺要求k=2.8～2.7,45nm工艺要求k=2.6～2.5......
本文通过解析阵列基板栅极驱动(gate driver on array, GOA)电路中发生静电释放(electro-static discharge,ESD)的InGaZnO薄膜晶体......
以非晶Ni—Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料，采用射频磁控溅射法构架了Cu／Ni-Al／Si的异质结。利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针测......
在不同的沉积温度下，用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层。用四探针电阻测试仪（FPP）、AFM、XRD、AES研究......
随着集成电路深亚微米工艺的不断发展,Cu因其低电阻率以及良好的抗电迁移能力成为了新一代的 互连材料.然而,Cu和Si元素扩散造成的......
在不同的衬底偏压下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了ZrN/Zr/ZrN堆栈结构的阻挡层。研究了Zr层的插入对ZrN......
随着集成电路向超大规模的发展，Cu互连技术已成为硅工艺领域的热点话题，其关键技术之一——扩散阻挡层的研究越来越受到人们的关注。......
随着集成电路特征尺寸不断缩小,传统的Ta/TaN已经不能满足工艺发展的需要。Co、Mo以及一些新型合金材料由于具有较低的电阻率、与C......
超大规模集成电路的发展要求集成电路集成度和存储器性能不断提高,而传统的互连技术与磁存储技术日显不足。由于其各自的优势,开展......
随着集成电路深亚微米工艺的不断发展,Cu因其低电阻率以及良好的抗电迁移能力成为了新一代的互连材料。然而,Cu和Si元素扩散造成的......
InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistor,IGZO TFT)与Cu互连组合的驱动背板,在生产线机台上的抗静电放电(electrostatic ......
InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistor, IGZO TFT)与Cu互连组合的驱动背板,在生产线机台上的抗静电放电(electrostatic......
提出了一种基于微观晶粒尺寸分布的Cu互连电迁移失效寿命模型.结合透射电子显微镜和统计失效分析技术。研究了Cu互连电迁移失效尺......
