ZNO压敏陶瓷相关论文
采用现代材料分析手段,从物相、显微组织相貌以及电性能方面综述了稀土掺杂ZnVO基压敏陶瓷发展现状及第二相和显微组织优化作用方......
对非饱和过渡金属氧化物中MnO2或Co2O3掺杂ZnO压敏陶瓷的影响进行了对比研究.结果表明：掺MnO2压敏陶瓷内部尖晶石相较多，富Bi相相对......
ZnO压敏陶瓷由于具备非线性伏安特性高、浪涌吸收能力好、响应速度快、漏电流小等优点特性,广泛应用在家电、通讯、交通、军工、高......
ZnO基压敏陶瓷具有优良的非线性I-V特性及耐脉冲电流能力,作为过压保护和浪涌吸收元件被广泛地应用在电子线路、电力系统中,研究掺......
本文研究了共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷材料烧结缺陷的特点及其对压敏特性的影响.结果表明,晶粒表面所形成的微空洞主要由ZnO的分解挥......
利用正电子寿命谱(PAS)对Sol-gel法制备的ZnO压敏陶瓷材料进行了研究，分析了寿命参数与材料致密度和非线性系数α之间的关系，讨论了......
ZnO压敏电阻器具有非线性I-V特性高、浪涌吸收能力强、漏电流小、通流容量大等优点，广泛应用于电力系统和微电子等领域。传统的ZnO......
ZnO压敏陶瓷是一种臭有优良非线性伏安特征和高能量吸收能力的半导体器件，因而广泛应用于各种电子电路、设备、电力系统的过压保护......
本文系统研究了CaCO_3、Fe_2O_3和CuO掺杂对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-Co_2O_3-MnO_2-Cr_2O_3系压敏陶瓷的电性能的影响；测量了CaCO_3、F......
研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂......
本文对制备ZnO压敏复合瓷粉的机械混合法和液相化学合成法两种制备工艺的现状进行分析.用化学共沉淀法制备的复合瓷粉相对机械混合......
制备了含 Ｍｎ和不含 Ｍｎ的 ＺｎＯ压敏陶瓷样品，其 Ｖ－Ｉ非线性α系数分别为 ５２．３０及１０．４０．采用电子自旋共振谱（ＥＳＲ）研究了含 Ｍｎ的样品中 ＭｎＯ_２的作用，结果表明， Ｍｎ离子是一种受......
掺杂稀土氧化物的大尺寸ZnO-B2O3系压敏陶瓷具有明显的"软心"特征,即电位梯度随试样尺寸的增大而下降,表层电位梯度高于内部.经高......
研究了Al2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响．应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能。实验结果表明：对于......
ZnO压敏陶瓷击穿场强ElmA由晶粒尺寸和单个晶界击穿电压两个因素共同决定,沿用之前提出的微观结构模型,在晶粒尺寸一定,晶界电压服......
研究了不同温度(900～1040℃)下烧结的ZnO-BiO3系叠层片式压敏电阻器(MLCV)的热稳定性和8/20 μs电流脉冲冲击稳定性,发现1000℃烧结......
为了抑制压敏防雷芯片边缘低熔点元素在烧结过程中的挥发,在芯片侧面涂覆不同配方高阻釉,研究其对压敏防雷芯片电性能的影响。结果......
研究了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度φeff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度φeff随着归一化电压的增加先逐渐增大,......
系统分析了势垒高度测量的两种常用方法(I-T特性方法和C-V特性方法)成立的条件.发现直接采用lnj-1/T曲线的基本I-T特性方法适用于......
研究了掺杂Ce2O3和Gd2O3对ZnO—Bi2O3系压敏陶瓷电气性能的影响，发现大尺寸试样的内层电位梯度明显低于表层，即表现出“软心”特征．“......
利用传统陶瓷制备工艺制备具有一定压敏特性的ZnO陶瓷材料,详细分析了Bi2O3掺杂对材料性能的影响及导致这一影响的具体原因.用MY3C......
根据不同有机原料的理化性能、主要用途，并结合实际生产应用认为，合理选择有机原料及使用量，对制备ZnO与添加剂料浆成分的均匀性，喷雾......
ZnO压敏陶瓷优异的非线性电流电压特性起源于ZnO晶粒间的晶界势垒,其主要表征参数是势垒高度和宽度.本文通过测量商用ZnO压敏陶瓷......
ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平．针对残压的形成机制尚不清楚，测量了传统工艺制备的ZnO—Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大......
从样品制备，烧结过程，纳米级Bi2O3，添加量及电性能测试等方面介绍了掺杂纳米级Bi2O3对生产高热容量、大通流能量ZnO压敏电阻片性能的......
研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO—Bi2O3系压敏陶瓷晶粒尺寸和电气性能的影响，结果表明，稀土氧化物可有效地抑制ZnO......
以(96.0-x)ZnO-2.0Pr6O11-0.5Sb2O3-0.5Co2O3-0.5Cr2O3-0.5Y2O3-xSiO2为配方制备压敏电阻陶瓷,其中比例均为物质的量比,x分别为0.0......
社会与科技的发展使得人们对材料的研究越来越深入，也只有在深入地研究材料的基础之上我们才能更好的认识事物，从而对其改进使其更好......
ZnO压敏陶瓷由于其优异的非线性V-I特性和大能量吸收能力,广泛应用于电子线路、器件和电力系统的过电压保护中.本文将平均粒径为1......
随着人类社会进入电力时代以来,电路系统运行的安全性和稳定性成为保障人类生活和工业生产的基础,此时压敏陶瓷材料作为一种良好的......
晶界的结构、组成、性能以及相之间的界面与氧化锌压敏陶瓷的非线性、电性能、老化、化学性能方面有着重要联系.本文就ZnO压敏陶瓷......
利用简便的粉末反射光谱法,测量了不同烧结温度下ZnO压敏陶瓷的反射光谱,并对其影响机理进行了探讨.研究结果表明,同纯ZnO相比,压......
本文研究了Nb2O5含量对ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明，含0......
采用低压ZnO压敏电阻配方，利用正电子湮没寿命谱（PAS）及SEM，对试样微结构进行了分析．结果表明，急冷能使低压ZnO压敏电阻的微空洞尺寸增大......
首次提出用"微观网络"的分析方法来研究ZnO压敏陶瓷的相结构和电性能,并对其"微观网络"中的两个节点即烧结温度和热处理温度进行研......
采用纳米Bi2O3添加入ZnO压敏陶瓷中，添加量分别是100％、60％、30％和0。利用纳米颗粒的高活性、比表面积大，熔融温度相对较低等特性，使实验......
应用HP4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压敏陶瓷的复电容曲线,研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律,探讨了晶粒边界耗尽......
采用传统固相法制备稀土氧化物La2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物......
ZnO压敏陶瓷作为电压保护以及抗浪涌设备中电子元器件的核心材料,其高非线性系数,高通流容量,强浪涌吸收能力等性能研究以及低温烧......
ZnO压敏陶瓷具有优异的非线性特性,广泛应用于电子仪器和电力装置领域。为了满足电子元器件低压化、小型化和集成化的要求,必须开......
采用两步烧结法制备了Y^3＋掺杂的（以Y（NO3）3·6H2O形式加入）ZnO压敏陶瓷，通过XRD、SEM和EDX系统研究了Y^3＋掺杂量对ZnO压敏陶瓷微结构......
采用氧化物固相合成法，制备了掺Li2CO3的ZnO压敏陶瓷。研究了掺Li2CO3量对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响。结果表明：当x（Li2CO3）......
研究了微量铝（Al）掺杂对氧化锌（ZnO）压敏陶瓷显微结构、电性能和本征点缺陷浓度等方面的影响及其作用机理。研究结果表明,介电损耗峰值......
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由于具有良好的非欧姆特性,ZnO压敏陶瓷被广泛用于电子线路和电力系统的浪涌吸收和瞬态过电压抑制,因此,ZnO压敏陶瓷材料的发展一......
本文通过高能球磨法获得ZnO压敏纳米粉料，细致研究800-1000℃烧结条件下，高能球磨和掺杂稀土氧化物Y2O3、Dy2O3、Er2O3提高电性能的......
以双肖特基势垒模型为基础，分析了ZnO压敏陶瓷中界面态的起源及本质。分析结果认为，在晶界处，大离子半径的Bi和Ba偏析至界面，是造成界......
掺杂稀土氧化物的大尺寸ZnO压敏陶瓷具有明显的“软心”特征，即内部电位梯度远远低于表层。经过XPS关于Zn结合能的研究、SEM关于杂......
采用不同的温度制度对添加剂进行煅烧合成，并制备ZnO压敏陶瓷电阻。通过TG-DTA、SEM、XRD等测试手段研究了不同煅烧工艺合成添加剂......
采用Al2O3掺杂,通过固相法制备Zn-Bi系压敏陶瓷,研究了不同比例Al2O3对ZnO陶瓷的晶粒大小、显微结构以及电性能的影响。研究表明ZB......
