隧穿几率相关论文
1988年巨磁阻效应的发现以及随后Datta口Das自旋场效应晶体管的提出,使自旋电子学成为凝聚态物理学中最活跃的研究领域之一。近年......
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构.测量了生长样品的光致......
根据Hawking热辐射理论和Parikh的半经典量子隧穿模型,作者选择了一种零标架对该Kerr黑洞Dirac粒子热辐射的研究表明,其热辐射谱是......
本文首先通过坐标变换得到了新的Kerr-Newman-Kasuya双荷黑洞解形式。然后运用Euler-Lagrange变分原理,在一般坐标系下对Kerr-Newm......
采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁异质结构的隧穿几率和自旋极化率.研......
采用MATLAB数值计算的方法观察单声子模自旋玻色子模型的定态演化。研究了0〈λ/ω≤2,Δ/ω=0.1的情况下出现的几种演化模式。表......
单电子输运器件在集成单电子电路、电学计量和量子信息处理等方面有着广泛的应用前景.金属单电子输运器件具有固定的隧道结,而半导......
基于龙格-库塔算法求解薛定谔方程,并对获得的数值结果进行分析得出精确的量子隧穿几率.通过适当的处理,该方法适用于任意势垒的情......
在有效质量近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了势垒的非对称性对单电子隧穿几率的影响.结果表明：隧穿过程的势垒的形状对隧穿几率......
以界面势垒对碳纳米管（CNT）场发射的影响为研究目的，在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层，以二氧化硅层作为绝缘势垒，然后在二氧化硅界面层......
采用相干量子输运理论和传递矩阵方法研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁／半导体／铁磁隧道结的隧穿几率和隧穿磁电阻。研究表......
用双势垒模型研究了半导体异质结量子阱的隧穿特性．利用电子波函数的连接条件，先计算出电子通过一简单方势垒的隧穿几率，再利用转移矩......
研究在自旋轨道耦合和周期振动场的作用下，电子隧穿双量子阱结构的透射系数和自旋极化率．通过数值计算发现：隧穿后电子的自旋简并消除......
微观粒子由于其波动性而以一定的概率穿过比它动能更高的势阱,这一现象被称为隧道效应。处于由激光驻波场构成的光学晶格中的玻色......
微电子技术的发展已经进入了纳米级尺寸,短沟道效应与高频高速寄生效应等问题的出现使得传统的集成电路技术越来越难以满足电子工......
随着信息技术的进步,集成电路迅猛发展,要求单个半导体器件的尺寸不断减小,随之而来的便是功耗的增加,而这正是目前集成电路发展的......
