隧穿场效应晶体管相关论文
在摩尔定律的指导下,集成电路的特征尺寸不断减小,纳米尺度下MOSFET器件的漏电问题越来越严重,日益增大的功耗限制了晶体管尺寸进......
随着半导体器件的特征尺寸的不断等比例缩小,由其构成的芯片尺寸也在不断减小,但是随之而来的是急剧增长的功耗密度。然而,传统的M......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）的特征尺寸随等比例缩小规则不断减小......
人工智能神经网络已成为当下信息处理技术领域的重要发展方向,相对于软件实现人工神经网络,硬件实现人工神经网络有可以大批量并行......
随着集成电路工艺技术的迅速发展,MOSFET的特征尺寸减小至纳米级,器件功耗逐渐成为制约集成电路发展的主要因素之一。隧穿场效应晶......
二维层状材料因其独特的几何结构和电学性质,受到人们越来越广泛的关注,有望在半导纳米体器件应用中成为传统块体材料的代替者.近......
多年来,随着集成电路的快速发展,晶体管的工艺尺寸从微米级缩小到纳米级。工艺尺寸的缩小使得集成电路的集成度提高,性能提升。不......
纳米线环栅隧穿场效应晶体管相比于其他多栅器件具有更强的短沟道效应抑制能力及更优异的电学特性.器件模型能够模拟器件电学特性,......
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能.文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket......
根据摩尔定律的指导,集成电路特征尺寸不断减小,近几年晶体管栅长已达到纳米量级,在此量级下小尺寸效应变得越来越严重,短沟道效应......
近年来,MOSFET器件尺寸在摩尔定律的指引下不断减小。随着MOSFET器件尺寸的不断减小,短沟道效应和量子效应对器件性能的影响变的日......
随着半导体器件尺寸的进一步缩小,芯片的集成度不断提高。但同时,传统的电路单元-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:Metal-Oxi......
随着集成电路特征尺寸的逐渐缩小,MOSFET发展受到了严重限制,同时芯片功耗与性能之间的矛盾也日益突出。为了解决芯片功耗与性能之......
随着集成电路的发展,当今超大规模集成电路工艺中的核心器件仍为基于漂移扩散物理机理的场效应晶体管。然而,随着器件特征尺寸不断......
随着集成电路领域的日益发展,芯片集成度不断提高的同时MOSFET器件尺寸也在不断缩小。当今,尺寸缩小所带来的功耗增大问题变得越来......
隧穿场效应晶体管(TFET)基于带带隧穿原理工作,其亚阈值摆幅能够突破MOSFET亚阈值摆幅的理论极限60mV/dec,具有较大的研究价值和应......
在摩尔定律的指导下,集成电路中MOS器件的栅长在不断减小,目前已经减小到10nm左右。随着集成电路中关键尺寸的不断减小,小尺寸带来......
根据摩尔定律的描述,随着集成电路技术的不断发展,晶体管的尺寸在不停的减小,集成度变高,性能提升。但在器件的尺寸等比例缩小的同......
伴随半导体技术的不断发展成熟,对作为大型集成电路基本单元的晶体管提出了更高的要求。摩尔定律表明了,随着半导体产业的发展需求......
随着社会需求的增加、科技技术的进步,半导体集成电路应用于生活的方方面面,成为社会生活不可或缺的一部分。然而传统场效应晶体管......
遵循摩尔定律,传统金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）集成电路芯片特征尺寸不断缩小,器件集成度逐步加大,然而随着芯片性能的......
最近几十年,半导体芯片集成化、微型化的发展趋势极大地促进了信息技术产业的进步。电子信息系统功能的每一次更新升级、半导体技......
随着半导体技术逐渐发展成熟,MOSFET晶体管作为大型集成电路的基本单元,根据摩尔定律的要求,尺寸会变得越来越小,如今的微电子技术......
隧穿场效应晶体管(TFET)是作为传统的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的潜在替代者所提出来的,其工作机制为带带隧穿,这与MO......
半导体产业经过50多年的发展，在性能方面有了相当大的提高，随着半导体器件的特征尺寸不断减小，芯片的集成度不断提高。但是当晶体管尺......
随着集成电路芯片集成度进一步提升，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)器件尺寸按照摩尔定律不断缩小，这就使得器件的静态功耗......
本文基于紧束缚近似方法和非平衡格林函数方法，对石墨烯纳米带器件自旋输运和电子输运两个方面进行了研究。为此，开发了一套用于计算......
电子计算机以及其他电子设备需要存储大量的数据，特别是电脑的普及、以及资料存储大容量的需求，使得半导体存储器产品获得了突飞猛进......
基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器.该器件由一个n型浮栅MOSFET和一......
基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧......
为了解决隧穿场效应晶体管（TFET）在强反型区表面势和漏电流精度下降的问题,建立了一种考虑可移动电荷影响的双栅TFET电流模型。首先......
提出了一种在源区形成感应PN结的隧穿场效应晶体管,利用Silvaco TCAD对器件的工作原理进行了验证,并仿真分析了器件的静态电学特性......
在摩尔定律的指导下,微处理器的集成度不断提高,推动了逻辑开关器件的发展。而在逻辑开关器件中,隧穿场效应晶体管(TFET)突破了金......
目前FinFET已成为当前集成电路的主流器件,其立体鳍状结构使栅极大面积覆盖了沟道,有效增加了栅极对器件的控制。该结构能改善器件......
随着半导体集成电路产业的不断发展,集成电路的规模也在不断地增大。器件的特征尺寸要不断减小,使得器件的性能逐渐提升,但随之带......
随着微电子集成电路技术的不断进步,MOSFET的特征尺寸不断按比例减小,电路集成度不断提高。但是随着晶体管尺寸的缩小,器件的短沟......
伴随摩尔定律的发展,单个芯片上器件尺寸不断缩小。但是,由于玻尔兹曼限制(Boltzmann tyranny),金属-氧化物-半导体场效应晶体管(M......
隧道场效应晶体管(TFET)由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂......
基于带带隧穿原理,提出一种具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管。不同于传统隧穿晶体管的PIN结构,新结构具有双向导通性,源漏区可......
提出一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管,分析肖特基势垒高度对该器件的影响。该TFET的势垒比传统肖特基势垒晶体......
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