高压场效应管相关论文
随着半导体制造工艺的不断进步,芯片的物理尺寸越来越小,静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）成为造成半导体器件失效的主要原因......
高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择.了解不同MOSFET器件......
试验用高压场效应管作为开关器件,做成脉冲幅度大于4kV、前后沿5ns左右的高压快脉冲源.介绍了该脉冲源的电路结构,着重从高压场效......
高气压短距辉光放电沉积类金刚石膜是一种具有发展前景的等离子体制备技术。但该技术目前遇到的瓶颈是工作稳定性差，技术上主要表现......
根据论文课题,首先对课题对象高压场效应管LDMOS进行实验数据采集,根据大量采集得到的数据结合工艺与器件物理原理上的分析,对一些......
