半导体场效应晶体管相关论文
随着功率器件技术的快速发展,基于传统的Si材料以及第二代半导体材料的功率器件已经无法满足实际应用中快速、低损耗等的迫切需求.......
功率MOSFET一直沿着结构优化、创新结构和宽禁带半导体材料三个方向发展，本文详细介绍了功率MOSFET的结构优化进程，分析介绍Super Ju......
准一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性,在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等领域有广阔的应用前......
利用VLS 的生长机制，通过源材料ZnSe 和Ag2S 合成P 型ZnSe：Ag 纳米线(NWs)。基于ZnSe：Ag 纳米线构建纳米金属氧化物半导体场效应......
提出了一种内部集成了过热保护功能的VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。文中对传统过热保护原理进行了分......
随着硅基金属.氧化物一半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道长度减小至30纳米[1]以下,沟道长度已经逐渐和载流子平均自由程相比拟,载流......
最新的MOSFET技术适用于新型汽车动力系统，能够承受更高的电流负载， 同时保持单位面积的低RDS(on)和低热阻值。 汽车电子......
随着每一代新的MOS场效应晶体管(metallic oxide semiconductor field effect transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管,简称MOSF......
除了少部分其他应用之外，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率管理系统中几乎都用作开关。这种应用引发了大量的MOSFET技术......
高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择.了解不同MOSFET器件......
(上接《塑料包装》2015年第3期)rn3.感应焊接设备rn焊接装置可以是整合机器人材料搬运的高度自动化的多站装置或手工装卸零件的单......
MOSFET是大多数开关电源(SMPS)中晶体管的选择.MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率.为了在功率应用中选择最好的开关,本文对优化......
多年以来,沿着摩尔定律的途径,人们一直采用对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行等比例微缩来增加器件速度的方法。然而在......
引言rn功率金属氧化半导体场效应晶体管(Power MOSFET)是当今电源中广泛使用的开关器件.功率MOSFET的工作频率不断提高,以减小器件......
基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立了MOSFET辐照前1/f噪声参量与辐照后分别由......
As dimensions of the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) are scaling down and the thickness of ga......
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本文首先给出了ＳＯＩ上纳米金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＮＡＮＯ－ＭＯＳＦＥＴ）的结构，它是一种非传统ＭＯＳＦＥＴ。ＮＡＮＯ－ＭＯＳＦＥＴ源漏区采用金属，沟道采用本征硅，该结构避免了系统ＭＯＳＦＥＴ的短沟......
一新更暗淡的使用一只 mental-oxide-semiconductor 地效果晶体管(MOSFET ) 为交替水流(交流) 直接驾驶 light-emitting-diode (带......
英飞凌科技推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600VCoolMOSC6系列。有了600VCoolMOSC6系列器件，诸如PFC（功率因数......
野战医用激光系统ＬａｓｅｒＭｅｄｉｃａｌＳｙｓｔｅｍＵｓｅｄｉｎＦｉｅｌｄＯｐｅｒａｔｉｏｎｓ中国医学科学院中国协和医科大学医学信息研究所（北京１０００２０）杨国忠编译ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｅｄｉｃａｌＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ，ＣＡＭＳＹａｎｇＧｕｏ.........
8月9日，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在......
功率金属氧化半导体场效应晶体管（Power MOSFET）是当今电源中广泛使用的开关器件。功率MOSFET的工作频率不断提高，以减小器件尺寸和提......
瑞萨电子株式会社推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管MOSFET系列产品，包括用于笔记本电脑中锂离子Li—ion二级......
