采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺(PI)薄膜及PI与金属颗粒(Cr)复合(PI/Cr)薄膜,所制备PI薄膜表面平整,随着金属颗粒体积百分数增......

在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下，利用ADS软件，采用负载牵引法和输入端共轭匹配，成功的设计......

报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器件的跨导为600mS／mm，阈值电压为-1．2V，最大电流密度为500mA／mm，截止频率为120GHz．......

采用南京电子器件研究所4英吋0.25μmGa AsPHEMT工艺技术,设计、制作Ku波段Ga AsMMIC六位数控移相器芯片,芯片尺寸为3mm×1.1mm×0......

基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管（GaN HEMT）具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的......

在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设......

采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10289cm2/Vs。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶......

介绍了高电子迁移率场效应晶体管（PHEMT）器件的结构，并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响，总结了......