微波单片集成电路相关论文
低噪声放大器（Low Noise Amplifier,LNA）是射频前端的核心部件之一。作为射频接收链路的第一级放大电路,LNA的噪声系数、增益、线性......
用0.15 μm GaAs增强型赝配高电子迁移率电子管(EPHEMT)工艺研制了一款集功率放大器、低噪声放大器、单刀双掷开关为一体的、可用......
单片微波集成电路具有体积小、质量轻，稳定性高，可批量生产等特点，在微波毫米波领域已得到越来越广泛的应用，特别是军事国防方面，具有重......
随着人类社会信息化的发展,微波技术的应用日益广泛与深入。工程中遇到的大量问题一般都是用等效网络的方法来处理,而等效网络的参......
本文主要设计基于氮化镓高电子迁移率晶体管的X波段微波单片低噪声放大器,首先简单介绍了氮化镓材料、器件的优势及氮化镓微波单片......
高精度微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器被广泛应用于相控阵雷达等电子设备中。高精度MMIC数字衰减器实现对微波信号进行精确的步......
随着微波通信技术的迅速发展，人们对通信设备的要求也越来越高。体积小、重量轻，可靠性高、稳定性好等优点使得微波单片集成电路......
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放......
在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上 ,针对国内工艺技术的特点 ,提出了提高其性能的......
使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿......
基于InGaP-GaAs HBT工艺设计了一款Ku波段推-推式压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC)。采用改进的虚地反馈法对基本振荡单元的......
微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的......
基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19～26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放......
报道了一种用于卫星通讯系统,基于0.5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器.采用集总参数元件来缩......
相控阵天线广泛应用于雷达、通信、导航等领域。有源相控阵天线的收发通道采用了大量的收发组件(T/R module)。幅相控制多功能芯片......
为了满足毫米波雷达或通信系统对更高发射功率的需求,基于65 nm Bulk Si CMOS工艺制程设计了一款Ka频段功率放大器。该功率放大器......
对不同时代的单片微波集成电路(MMIC)的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结,并结合当前的研究与应用热点,重点分析以砷化镓(G......
基于0．25μm PHEMT（赝配高电子迁移率场效应晶体管）工艺，给出了一款毫米波MMIC（单片集成电路）低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联......
本文综合考虑影响合成效率的因素以及工艺精度,设计了一种混合环功分/功合网络,改善了驻波比和幅相特性,保证了良好的合成效率。基......
采用0.5μm Ga As PHEMT工艺设计了一款工作于2.7GHz~3.5GHz的3bit数控衰减器芯片,经过测试通态插入损耗<0.7d B,最大衰减量5.6d B......
综述了国外近年来提出、实施或实现的各种毫米波电扫描技术，并指出我国发展毫米波电扫描装备应该注意的五个方面，即：新的电扫描原理；新......
采用0．5μm GaAs pHEMT工艺研制的5．2～5．8GHz有源单片式巴仑芯片，最终测试表明：工作带宽之内，芯片输入输出驻波均小于1．5，两输出端幅度之差......
运用微波在片测试技术和IC—CAP模型提取软件对总栅宽为850p．mPHEMT器件进行了大信号建模，并利用此模型，采用分布式放大器与电抗匹配......
介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路（MMIC）。该电路以达林顿结构的形式级联，由两个异质结双极型晶体管（HBT）和4个......
微波单片集成电路(MMIC)是无线通讯领域的核心技术,也是国际芯片设计领域中,公认的最难设计的集成电路品种.随着多媒体以及宽带无......
微波单片集成电路(MMIC)的优化设计已受到工业界的关注,而MMIC元件广为采用含非匀质基片的微带线.用2.5维的边缘元法研究了这类屏......
报告了一个两级C-波段功率单片电路的设计、制作和性能，该单片电路包括完全的输入端和级间匹配，输出端的匹配在芯片外实现，该放大器在......
一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功.此两级放大器的特点是,性能稳定,频带宽,噪声低,增益高而平坦,可直接由+5 V......
介绍了以MESFET构成的微波放大器的2种稳定化方法;在栅漏间或栅源间插入RCL串联支路.分析了在这两种方法中,稳定化因子K以及电路增......
报道了一种微波宽带GaAs单片可变增益低噪声放大器芯片.该芯片采用南京电子器件研究所φ76mm圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.......
使用0．25μm GaAs PHEMT工艺技术，设计和制造了性能优良的5-22 GHz两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GHz内，测得增益G≥......
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高等特点，在微波通信、雷达等领域有着广泛的应用前景，将成为......
报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究，分析出该......
报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片。芯片采用四级放大拓扑结构,在29～32GHz频带范围内6V工作条件......
采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微......
基于GaN HEMT工艺研制了一款频率覆盖范围为7～8 GHz、输出功率为80 W的高性能大功率放大器。根据输出功率的要求,确定功率输出级器......
单片微波集成电路(MMIC)在当今电子业的巨大推动下得到迅速的发展,其中器件测试方法的准确度直接影响到模型库的建立,并进一步关系......
采用SiGe异质结双极型晶体管来设计具有开关功能低成本的新型放大器MMIC；应用微波相关的理论和方法选择满足本设计指标要求的器件，并......
利用0.25μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级......
报道了一种可直接应用于无线接收系统前端的具有较低噪声系数和较高相关增益的MMIC低噪声放大器,该低噪声放大器采用0.50μm GaAs ......
数控单片移相器的设计技术具有较大的特殊性与复杂性,必须依靠计算机辅助设计提高设计的准确性。对数控单片移相器的计算机辅助设......
GaN微波单片集成电路（MMIC）具有高工作电压、高输出功率、频带宽、损耗小、效率高、体积小、抗辐照等特点，具有诱人的应用前景，成为国......
微波单片集成电路(MMIC)在片测试技术是应用于MMIC和高速集成电路研究、生产的新型测试技术.MMIC在片测试探头是MMIC在片测试系统......
与传统的硅双极晶体管（Si BJT）相比，异质结双极晶体管（HBT）具有特征频率高、1／f噪声小的优点，可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。......
基于0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了Ka波段单片压控振荡器，该压控振荡器采用源极正反馈结构，变容管采用源极和漏极接地的pHEMT管。通......
报道了一种10．5GHz无线接入系统中收发信射频系统的设计思想、实现方法及研制结果。通过采用微波单片集成和功率回退等技术手段，达到......
S波段单片低噪声放大器采用了0．5μm φ3英寸(76．2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺，由三级自偏电路构成，单电源(+5V)供电．对3英寸......
