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在砷化镓样品的自发辐射现象中引入了辐射复合系数的一般概念。对于高增益砷化镓光导开关中流注的自发辐射现象,依据求简单平均值......
利用高能电子衍射振荡研究MBE异质材料生长工艺.优化了AlGaAs/InGaAs/GaAs材料生长工艺.通过霍耳测量、X射线双晶衍射及二次离子质......
在GaAs器件寿命试验中，器件的性能参数退化与结温密切相关。对于如何确定结温问题进行了研究，介绍了热阻的定义以及目前热阻测试中常......
<正> 说起砷化镓来,可能有些人觉得生疏、有些人不知道它是半导体材料,如果说它早已经进入我们的家庭生活,那更是出乎意料的事。现......
从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的......
无线通信的迅猛发展对射频技术提出了越来越高的要求，射频集成电路（RFIC）的出现极大的推动了无线技术的普及和应用。文章主要介绍了当......
介绍了高电子迁移率场效应晶体管（PHEMT）器件的结构，并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响，总结了......
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