高能电子衍射仪相关论文
自石墨烯这一特殊的二维材料发现以来,凝聚态物理和材料物理领域掀起了有关二维材料的研究热潮。利用分子束外延这一技术,可以在不......
通过阐述外延薄膜进行原位监测的反射高能电子衍射（RHEED）以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系，提出了基于RHEED图像......
介绍了反射式高能电子衍射仪（RHEED）衍射原理以及半导体薄膜表面原子间距与其衍射图像间距成反比例关系。分析了采用ECR-PEMOCVD生长......
<正> 分子束外延（简称MBE）技术是近十年来基于真空蒸发技术发展起来的一门晶体生长新技术,它是在超高真空(10-10托)条件下,控制不同......
本文从理论上分析了GaSb基锑化物半导体材料的基本性质,主要包括通过二元系和三元系材料参数的线性插值计算InGaAsSb,AlGaAsSb四元......
