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用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)薄膜,制作了以300nmITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,......
设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟......
采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了A1掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响.在相同的工......
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升......
分别用金属In和Ti／Al／Ni／Au合金层制备GaNHEMT结构外延片的霍尔测试电极，并对样品进行霍尔测试。发现In金属与外延片形成非欧姆接触，Ti／A......
采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO2Ag薄膜。借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法，分析了02气氛下退火温度对薄......
为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/G......
利用SIMS和变温霍尔测量手段对p型Hg0.77Cd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究.结果表明采用......
窄禁带碲镉汞为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料。两个温度点的霍尔测试并不能很好的表征碲镉汞材料的性质。本文先通过变温......
采用飞秒激光在六氟化硫气氛中对硅表面进行扫描,在硅衬底上制备了具有超饱和硫重掺杂的黑硅薄膜。采用变温霍尔测试方法,在30~300......
在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^19cm-3,对样品进行首次高温退火工......
GaN和相关的Ⅲ-Ⅴ族氮化物已经在蓝光波段和紫外光波段得到了开发和应用,目前正向着高温大功率电子器件方向发展。在开发器件过程......
窄禁带半导体Hg1-xCdxTe是目前制备红外探测器最重要的半导体材料之一。碲镉汞红外探测器在遥感、夜视、通讯和监测等领域发挥着重......
本文主要研究内容是GaSb的同质/异质外延生长和材料的表征和物性分析,利用同质外延指导异质外延的生长。具体如下：采用分子束外延在......
设计并使用分子束外延（MBE）方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAsPHEMT外延材料，采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异......
