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本文采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2 薄膜，Cu-In-Ga 金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成，通过铜靶调整铜的比例，然后采用固态源硒化法在硒蒸气环境中硒化，通过对预制层结构和硒化条件的深入研究，制备出成分及结晶都很好的CIGS 薄膜，粗糙度及附着力也得到很好改善，电池最高转换效率已达8﹪。