有机硅材料是科学技术、工业生产、国防建设等领域中必不可少的重要材料。但是,在长期生产实践过程中发现,工业硅中的微量元素杂质对有机硅主要单体产品二甲基二氯硅烷的选择性和反应活性的影响愈发越突出。工业硅作为有机硅生产的原料,其中Bi、Pb等微量杂质会严重降低单体合成的活性和选择性。因此,探索硅粉中微量杂质对有机硅主要单体产品二甲质量的影响,并针对不同杂质的性质,采用适当方法对其进行去除,对单体产品质量和效率有着重要的意义。本文基于真空挥发原理,进行了真空精炼去除硅中杂质Pb和Bi的热力学、动力学和去除研究。热力学通过计算饱和蒸气压、分离系数、气-液相平衡等证明了硅中的Pb和Bi分离系数大于1,可以通过真空手段将其去除。动力学的理论研究探明了Pb和Bi去除的限制性环节。实验研究证明了精炼温度、精炼时间和真空度对杂质Pb和Bi的去除有影响。非真空精炼使Pb和Bi含量下降至240 ppmw和73 ppmw,去除率分别为84.00%和87.83%。在非真空精炼的基础上改变真空度降低原料含量,实验结果证明,温度为1823 K,精炼时间为90 min,杂质的去除效率达到最佳,Pb和Bi的杂质含量分别降为6 ppmw和8 ppmw,去除率可达60.00%和65.22%,但是精炼时间延长至90min以后,由于存在着去除极限,杂质的去除率增幅减小甚至不变。在真空精炼的基础上进一步展开真空感应精炼实验,与非真空精炼实验相比,改善动力学条件后杂质Pb和Bi的去除率达到99.99%以上,且杂质含量达到有机硅用工业硅原料使用标准。工业硅生产的实际应用中,由于条件的限制,并不能达到高真空和电磁搅拌的条件,所以本文引入了微负压条件作为工业硅中Pb和Bi去除工艺改进的对象。探讨微负压的形成及Pb和Bi的去除机理。通过微负压精炼去除Pb和Bi的实验分析以及五组工厂微负压生产工业硅数据,探究了微负压对杂质Pb和Bi的去除效率的影响。试验结果表明:微负压条件下,固定精炼时间为30 min,最佳精炼温度为1823 K,杂质Pb和Bi的含量分别由1500 ppmw和600 ppmw降低至160ppmw和46 ppmw,去除率分别为89.33%和92.33%,在此基础上延长精炼时间,精炼时间为90 min,Pb和Bi的去除率分别提高至98.00%和98.17%。在工业应用中,通过五组数据计算杂质Pb的平均浓度以及相对去除率,Pb的平均相对去除率可达48.7829%,证明微负压（MNP）的引入可以降低熔体上方的气相阻力,促进Pb的气相扩散,进而实现了Pb的气相传输的有效分离。