本文是我一年半来硕士论文研究工作的总结，主要是对Ⅱ-Ⅵ族半导体光伏材料CdTe薄膜的制备条件及其掺杂性质进行的研究和总结。此外，实验上制备出玻璃/ITO/CdS/CdTe/Cu金属背电极薄膜太阳能电池，并得到了一些有益的结果。对于薄膜性质的许多更深入细致的分析研究，还有待后续工作继续进行。论文首先综述了国内外光伏电池的研究进展，对太阳能电池的原理、结构和效率进行了阐述，并对CdTe薄膜在构造薄膜光伏电池方面的重要应用价值以及当前CdTe薄膜的各种制备工艺及其薄膜性质的研究进行了比较和概述。随后，叙述了样品的三种常用制备方法以及制备仪器的构造原理。介绍了样品结构、光学及电学性质的分析测试和相关仪器。文章主要部分总结了我在做毕业论文期间进行的三方面的工作：（1）近距离升华（Close-Spaced-Sublimation,CSS）法制备了掺杂Te元素的CdTe薄膜，研究了掺杂对CdTe薄膜结构及性质的影响；（2）对三种薄膜制备方法（CSS方法、射频溅射法RF以及真空热蒸发VE）制备出的CdTe薄膜及掺杂膜的性能进行比较研究，突出了CSS技术制备CdTe薄膜的优势；（3）采用CSS方法在Glass/ITO基片上先后制备了CdS、CdTe膜，并用RF法溅射了Cu膜，制备出了Glass/ITO/CdS/CdTe/Cu薄膜太阳电池，对电池的性能进行了简单分析研究。我们发现，用近距离升华沉积掺Te元素的CdTe薄膜，其结构和电学性质发生了显著变化。X射线衍射分析表明，纯CdTe薄膜是立方闪锌矿结构，（111）晶面取向生长；Hall效应实验测量发现薄膜电阻很高，呈p型电导，面电阻率数量级达1010?/?，面载流子浓度约105-6/cm2，载流子迁移率为几百cm2/v.s；掺杂Te元素后，薄膜衍射峰强增大，薄膜结构上出现了第二种相成分—六方结构的Te，由衍射峰强判断该相比例较小，同时CdTe薄膜的衍射峰向低角度偏移，晶格<WP=5>常数增大。薄膜的电学性质发生明显变化，面电阻率降至106?/?，面载流子浓度增大到109/cm2的数量级，迁移率亦增大到104cm2/v.s，掺杂Te元素改善了CdTe薄膜的电学性质，使其变为良好的p型半导体。近距离升华法制备的CdTe薄膜与射频溅射和真空蒸发相比，具有其独有的特性。X射线衍射分析显示，真空膜和溅射膜峰形漫散，而用CSS法制备的CdTe薄膜的衍射峰强远远大于前二者，且除（111）晶面择优取向外，（220）、（311）等晶面也有一定的择优生长。而且用CSS方法制备的CdTe薄膜晶粒度大，薄膜晶形好。利用近距离升华技术在Glass/ITO基片上先后沉积CdS、CdTe膜，保证CdS膜的厚度<2000?，CdTe膜的厚度在2~3μm之间，最后采用射频溅射法制备一层Cu膜作为金属背电极，制成Glass/ITO/CdS/CdTe/Cu薄膜太阳能电池。做电池的I-V曲线，输入光强为70mw/cm2，电池面积为1×1cm2，测得电池的开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为：VOC=180mV, ISC= 20mA, FF=0.62和η=3.2%。