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[学位论文] 作者：桑立雯,
来源：北京大学 年份：2010
Ⅲ族氮化物Alx-Ga1-xN由于其直接带隙，且带隙宽度随Al组分变化从3.42eV到6.2 eV连续可调，波长范围覆盖200-365 nm紫外波段，是制备太阳光盲深紫外光探测器和深紫外LED的理想材料...
[期刊论文] 作者：李广如,秦志新,桑立雯,沈波,张国义,
来源：发光学报 年份：2011
制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右...
[期刊论文] 作者：李广如,秦志新,桑立雯,沈波,张国义,,
来源：发光学报 年份：2011
制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右...
[期刊论文] 作者：岑龙斌,桑立雯,周绪荣,秦志新,张国义,,
来源：半导体光电 年份：2007
通过在GaN缓冲层上先生长一层20nm厚的AIN插入层，成功地在此插入层上生长出了200nm厚的AlxGa1-xN（0．22〈x〈0．28）材料。研究并优化了AlxGa1-xN材料上的Ti／Al／Ni／Au欧姆接触和Ni基肖特...
[会议论文] 作者：岑龙斌,桑立雯,周绪荣,秦志新,张国义,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基接触,从而成功研制出了AlGaN紫外光肖特基型...
[会议论文] 作者：李涛,秦志新,桑立雯,许正昱,沈波,张国义,
来源：第十七届全国半导体物理学术会议 年份：2009
在Ⅲ族氮化物的发展过程中，欧姆接触的实现一直是一个重要的问题，特别是对于高Al组分AlGaN，在短波长LED、LD和UV探测器上有着广阔的应用前景。对于n—AlGaN材料Ti基接触通常需要...
[会议论文] 作者：桑立雯;岑龙斌;陈志忠;杨志坚;秦志新;张国义;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
在蓝宝石(0001)衬底上,用金属有机气相沉积(MOCVD)方法外延生长AlGaN样品,溅射10nmNi作为透明的肖特基接触,研究了在氧气氛下低温退火对电极透明性和肖特基结的影响.结果表明...
[期刊论文] 作者：张延召,秦志新,桑立雯,许正昱,于涛,杨子文,沈波,张国义,,
来源：发光学报 年份：2010
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中，普通方法生长的P型外延层电导率一般都很低，成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中，Mg受主的激活能较大，并且随Al组份增加而......
[期刊论文] 作者：方浩,龙浩,桑立雯,齐胜利,熊畅,于彤军,杨志坚,张国义,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
We report on the growth and fabrication of nonpolar a-plane light emitting diodes with an in-situ SiN x interlayer grown between the undoped a-plane GaN buffer...
[期刊论文] 作者：桑立雯,秦志新,方浩,代涛,杨志坚,沈波,张国义,张小平,俞,
来源：半导体技术 年份：2008
在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在...
[会议论文] 作者：方浩,桑立雯,齐胜利,张延召,杨学林,杨志坚,郝茂盛,潘尧波,张国义,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文中我们利用插入应力调制InGaN层的方法制备了无荧光粉的氮化镓基单芯片白光LED。利用X射线衍射倒空间分析和扫描电子显微镜对LED器件在室温下形状随注入电流变化的电致发光谱和光致荧光表征结果进行研究。InGaN插入层的应力调制作用和LED的多波长光学性质之......
[期刊论文] 作者：周绪荣,秦志新,鲁麟,沈波,桑立雯,岑龙斌,张国义,俞大鹏,,
来源：发光学报 年份：2008
室温300 K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到AlN的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料。高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生...
[会议论文] 作者：桑立雯,秦志新,方浩,代涛,杨志坚,沈波,张国义,张小平,俞大鹏,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
在蓝宝石衬底上采用交替通铝源和氨气的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在...
[会议论文] 作者：李涛[1]秦志新[1]桑立雯[1]许正昱[2]沈波[1]张国义[3],
来源：第十七届全国半导体物理学术会议 年份：2009
在Ⅲ族氮化物的发展过程中，欧姆接触的实现一直是一个重要的问题，特别是对于高Al组分AlGaN，在短波长LED、LD和UV探测器上有着广阔的应用前景。对于n—AlGaN材料Ti基接触通常需要...
[期刊论文] 作者：桑立雯,秦志新,方浩,代涛,杨志坚,沈波,张国义,张小平,俞大鹏,,
来源：半导体技术 年份：2008
在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在...
[期刊论文] 作者：周绪荣,秦志新,鲁麟,沈波,桑立雯,岑龙斌,张国义,俞大鹏,张小平,
来源：发光学报 年份：2008
室温300 K下,由于AlxGa1-xN 的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到 AlN 的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料.高质量高铝组分AlxGa1-xN材料...
[会议论文] 作者：黄森,沈波,马楠,许福军,林芳,苗振林,宋杰,鲁麟,桑立雯,秦志新,
来源：第十七届全国半导体物理学术会议 年份：2009
AIN插入层已被广泛用来提高Al0.25Ga0.75N/GaN/AIN体系中的二维电子气的迁移率和浓度，然而很少有人关注AIN插入层对该异质结构上肖特基接触的反向漏电的影响。而栅极反向漏电...
[期刊论文] 作者：丁嘉欣,成彩晶,张向锋,张晓兵,鲁正雄,司俊杰,孙维国,桑立雯,张国义,,
来源：激光与红外 年份：2009
在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值...
[期刊论文] 作者：成彩晶,丁嘉欣,张向锋,赵鸿燕,鲁正雄,司俊杰,孙维国,桑立雯,张国义,,
来源：半导体学报 年份：2008
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω....
[期刊论文] 作者：张延召,秦志新,桑立雯,许正昱,于涛,杨子文,沈波,张国义,赵岚,张向锋,成彩晶,孙维国,,
来源：发光学报 年份：2010
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增...
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