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[会议论文] 作者：毛开礼,,
来源： 年份：2004
高质量快速SiC外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。本文采用HCl气体作为含C1化合物,研究了不同温度、气相C/Si摩尔比、刻蚀工艺等对于SiC外延层质量...
[学位论文] 作者：毛开礼,,
来源： 年份：2009
LaNiO3氧化物具有优良的室温导电性能,且具有与PZT等铁电材料相似的钙钛矿结构,被认为是理想的电极和缓冲层材料.在Si基板上制备取向性LaNiO3薄膜对于制备取向性PZT薄膜,进而...
[学位论文] 作者：毛开礼,
来源：西安理工大学 年份：2009
LaNiO3氧化物具有优良的室温导电性能，且具有与PZT等铁电材料相似的钙钛矿结构，被认为是理想的电极和缓冲层材料。在Si基板上制备取向性LaNiO3薄膜对于制备取向性PZT薄膜，进而制...
[会议论文] 作者：毛开礼;赵高扬;,
来源：第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会 年份：2008
本文采用溶胶-凝胶与化学修饰相结合的方法，引入乙酰丙酮作为化学修饰剂制备了LaNiO3溶胶。对镍溶胶进行紫外光谱测试分析，结果表明该溶胶在284 nm附近存在吸收峰。结合形成溶...
[期刊论文] 作者：毛开礼,王英民,李斌,赵高扬,,
来源：电子工艺技术 年份：2014
随着国民经济发展"节能减排"任务的加剧,以及新兴电子系统变化的要求,电子系统对半导体元器件技术提出了高密度、高速度、低功耗、大功率、宽工作温度范围、抗辐射和高可靠等...
[期刊论文] 作者：毛开礼,王英民,李斌,赵高扬,
来源：电子工艺技术 年份：2015
高质量快速Si C外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同温度、气相y（C）/y（Si）摩尔比和刻蚀工艺等对于Si C外延层质量......
[期刊论文] 作者：毛开礼,王英民,李斌,赵高扬,,
来源：电子工艺技术 年份：2017
为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x（C）/x（Si）气相摩尔比等对于Si基3C-S...
[期刊论文] 作者：毛开礼,王英民,李斌,赵高扬,,
来源：电子工艺技术 年份：2015
高质量快速Si C外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同温度、气相y(C)/y(Si)摩尔比和刻蚀工艺等对于Si C外延层...
[期刊论文] 作者：毛开礼,王英民,李斌,赵高扬,,
来源：功能材料 年份：2017
10kV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速4H-SiC外延生长工艺要求。4°4H-SiC厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,使用HCl气体作为含Cl化合...
[会议论文] 作者：赵高扬;刘前立;毛开礼;,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
镍酸镧LaNiO3是具有钙钛矿结构的氧化物材料，由于其特定的晶体结构和优良的导电特性，作为压电、铁电陶瓷的电极材料具有良好的应用前景。随着硅基集成铁电学的发展，在硅基板上制......
[会议论文] 作者：毛开礼,李斌,王英民,赵高扬,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
10KV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速SiC外延生长工艺要求.4度4H-SiC厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,文本采用HCl气体作为含Cl...
[期刊论文] 作者：王英民,毛开礼,徐伟,侯晓蕊,,
来源：电子工艺技术 年份：2011
利用Virtual Reactor模拟软件研究了大直径SiC晶体生长中坩埚在感应线圈内不同位置对坩埚内整体温度场、生长腔以及料源内温度场的影响。分析比较了生长腔内径向温度梯度以及...
[期刊论文] 作者：毛开礼,胡彦飞,王英民,李斌,赵高扬,,
来源：电子工艺技术 年份：2017
高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要。研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相...
[期刊论文] 作者：田牧, 徐伟, 王英民, 侯晓蕊, 毛开礼,,
来源：电子工艺技术 年份：2012
采用高温合成方法生成了高纯碳化硅（SiC）粉。采用高纯碳（C）粉和硅（Si）粉直接反应，不需外加添加剂，通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明，在相同反应时间条件下，不同加热温度......
[期刊论文] 作者：毛开礼,徐伟,王英民,田牧,王利忠,,
来源：电子工艺技术 年份：2011
空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产生,改善了SiC晶体的结晶质量。采用该工艺生...
[期刊论文] 作者：李斌,马康夫,王英民,魏汝省,毛开礼,徐伟,,
来源：电子工艺技术 年份：2017
采用自蔓延法合成单晶生长用高纯SiC粉料,特别地,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,随后利用所合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长。利用XRD、Raman光谱、SIMS(二次离子...
[期刊论文] 作者：徐伟,王英民,毛开礼,姜志艳,周立平,,
来源：电子工艺技术 年份：2012
介绍了金刚石多线切割设备的原理,并采用直径为250μm的金刚石线进行切割工艺实验。使用不同的工艺参数,比较了不同工艺参数对晶片TTV（整体厚度偏差）的影响,给出了实验比较结果...
[期刊论文] 作者：戴鑫,王英民,毛开礼,王利忠,徐伟,李斌,,
来源：电子工业专用设备 年份：2016
碳化硅（SiC）单晶多采用物理气相传输（PVT）法及籽晶顶置工艺生长,典型的生长界面包括略凹、近平微凸、略凸三种生长界面,在100 mm（4英寸）掺钒（V）半绝缘4H-SiC单晶生长过程中,需要研究......
[期刊论文] 作者：王利忠,王英民,李斌,毛开礼,徐伟,侯晓蕊,,
来源：电子工艺技术 年份：2013
通过物理气相传输（PVT）法成功地生长出直径大于7.62 cm的掺钒半绝缘4H-SiC晶体。抛光后的掺钒半绝缘4H-SiC晶片在真空且温度1 600℃～2 000℃条件下进行退火处理,利用高分辨X-ray...
[会议论文] 作者：王英民,魏汝省,王利忠,毛开礼,李斌,戴鑫,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
本文主要研究了通H含量对4H-SiC单晶生长速率、微管密度以及晶体中N含量的影响。研究结果表明,通H量与晶体生长速率呈线性关系,通H量不仅改变晶体生长过程中的C/Si,同时...
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