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[学位论文] 作者：陆春一,,
来源： 年份：2009
目前,我国政府网站建设已取得了可喜的成绩,表现在数量上突飞猛进、内容上不断增加。但是,与国外成熟的政府网站相比,我国政府网站的服务质量仍存在着很大差距,突出的表现是...
[期刊论文] 作者：陆春一,,
来源：商场现代化 年份：2011
本文通过分析国外政府网站的服务功能建设,总结国外政府网站建设的经验,提出提高政府网站服务功能的启示、对策和建议,以切实增强我国电子政务服务功能。...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
在双层、异型硅外延中，通常采用顾通掺杂剂二步外延法。本文对掺杂剂预通过程中产生的气－因扩散进行理论及实验研究，分析了预通条件（温度、时间、预通量等）对气－固扩散的影响，提出了......
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N~+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
探讨了多层硅外延中的自掺杂现象，研究了自掺杂的产生机理，分析了工艺条件对自掺杂的影响，提出了减小自掺杂的几种方法。...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了克服自稀释现象的几种方法....
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,
来源：微电子学 年份：1994
采用全外延工艺，研制了Ｘ波段里德型双漂移崩越二极管所需πｐｎγＮ￣＋多层外延材料，分析了各过渡区的形成机理及减小其宽度的方法，实现了陡峭的杂质浓度分布。...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,
来源：半导体杂志 年份：1994
本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,
来源：半导体技术 年份：1992
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10~(14)～10~(18)/cm~3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法，减压－常压二步法，采用该方法所生长的外延层，其过渡区明显小于常规二步法的结果，和单纯减压方法所得的结果相当，外延层晶格质量......
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,
来源：RARE METALS 年份：1994
ＳｉｌｉｃｏｎＥｐｉｔａｘｉａｌＷａｆｅｒｆｏｒＸＢａｎｄＤｏｕｂｌｅＲｅａｄ－ｔｙｐｅＤＤＲＩＭＰＡＴＴＤｉｏｄｅｓｂｙＡｔｍｏｓｐｈｅｒｅ／ＬｏｗＰｒｅｓｓｕｒｅＧｒｏｗｔｈＴｅｃｈｎｉｑｔＷａｎｇＸｉａｎｇｗｕａｎｄＬｕＣｈｕｎｙｉ王向武，陆春.........
[会议论文] 作者：王间武,陆春一,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
...
[期刊论文] 作者：陆楠, 陆春一, 周春光,
来源：深圳大学学报：理工版 年份：2005
分析挖掘关联规则主要并行算法及性能.针对算法中负载平衡和时间响应问题,提出一种高效可行的挖掘关联规则的NA(N-transaction algorithms)并行算法,给出了NA算法的策略.通过...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,等,
来源：半导体杂志 年份：1990
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法，采用该方法，在均匀的重掺As衬底上，用SiCl4源外延，以10614-10^18/cm3浓度计算，获得了≤0．54um的过渡区宽度。...
[期刊论文] 作者：陆楠,闫巧,陆春一,,
来源：计算机与信息技术 年份：2011
研究基于模糊聚类的遗传算法应用于复杂网络社区挖掘,该算法将聚类融合引入到交叉算子中,利用父个体的聚类信息产生新个体,避免了传统交叉算子单纯交换字符串而忽略聚类内容...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,马利行,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法：减压－常压二步法。采用该方法所生长的外延层，其过渡区明显小于常规二步法的结果，和单纯减压方法所得的结果相当，外延层晶格质......
[期刊论文] 作者：陆春一, 赵仲庸, 田光炎,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1984
本文给出用外延工艺制备较窄的硅PN结补偿区的一种方法.这种工艺方法是在N型外延层生长结束后,预先通入P型掺杂剂硼烧一定时间,然后再进行P型层的生长,简称掺杂净化工艺....
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,赵仲镛,
来源：半导体技术 年份：1992
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10~(14)～10~(18)/cm~3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,赵仲镛,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
在双层、异型硅外延中，通常采用预通掺杂剂二步外延法。本文对掺杂剂预通过程中产生的气一固扩散进行理论及实验研究，分析了预通条件（温度、时间、预通量等）对气一团扩散的影响，提......
[期刊论文] 作者：田光炎,陆春一,孙景山,宋毅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1984
本文介绍了硅烷低压外延的实验装置。用两探针扩展电阻法测量了外延层的杂质分布。结果表明,与硅烷常压外延和四氯化硅常压外延相比,硅烷低压外延的杂质分布更为陡峭。This...
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