搜索筛选:
搜索耗时2.2012秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 50 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：陈开茅,孙文红,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在高真空系统中，将Ｃ７０膜淀积在（１００）晶向ｎ型和ｐ型ＧａＡｓ衬底上，形成固体Ｃ７０／ｎ－ＧａＡｓ和Ｃ７０／ｐ－ＧａＡｓ两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结，在偏压为±１Ｖ时，它们的整流比分别大于１０＾６和１０＾４，以及在固定正向偏压下，它们的电流......
[期刊论文] 作者：陈开茅,秦国刚,
来源：半导体学报 年份：1986
本文提出在多数载流子对边区作非饱和填充的条件下求深中心分布的理论与实践.过去在对边区作饱和填充的条件下求分布的方法须要知道测量温度下深能级的实际位置,而通过热发射...
[期刊论文] 作者：陈开茅,秦国刚,
来源：半导体学报 年份：1987
通常用各种结谱方法求得的深能级激活能实际上是在测量温度范围内的平均离化焓.本文通过对作者最近观测到的两个硅中与铜有关的深能级E_1和E_2以及硅中金受主能级的仔细分析,...
[期刊论文] 作者：刘鸿飞,陈开茅,
来源：半导体学报 年份：1996
利用电化学扫描隧道显微镜初步研究了重掺锑硅抛光片表面的微结构。多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远比晶体生长过程产生的微缺陷多；粗糙度约几......
[期刊论文] 作者：陈开茅,顾镇南,
来源：半导体学报 年份：1997
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流-温度测量表明，在固定正向偏压下，其电流是温......
[期刊论文] 作者：陈开茅,顾镇南,
来源：半导体学报 年份：1998
我们将Ｃ６０膜沉积在ｐ－ＧａＡｓ（１００）衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究。异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０＾６倍，在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温度倒数成线......
[期刊论文] 作者：陈开茅,周锡煌,
来源：半导体学报 年份：2000
用深能级瞬态谱和高频电容－电压技术研究了固体Ｃ７０／Ｓｉ质结的界面电子态。研究结果表明在Ｃ７０／Ｓｉ的界面上明显存在三个电子陷阱Ｅｉｔ１（０．１９４）、Ｅｉｔ２（０．２６２），Ｅｉｔ３（０．４０７）和一个空穴陷阱Ｈｉｔ１（０．４７１），以及在Ｃ７０／Ｓｉ界面附近存在着固体Ｃ７０的电子和空穴陷阱引......
[期刊论文] 作者：陈开茅,章其麟,
来源：半导体学报 年份：1999
本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触，并对其电学性质作了测量。我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结。在偏压为±１Ｖ时，其整流比高达１０＾６。在固定正向偏压条件下......
[会议论文] 作者：陈开茅,邱素娟,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
...
[期刊论文] 作者：陈开茅,王忠安,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1988
Energy positions and carrier capture cross sections of the deep levels related to copper insilicon are measured by the DLTS.The annealing behaviour and spatial...
[期刊论文] 作者：陈开茅,毛晋昌,
来源：半导体学报 年份：1983
在115.2K到162.3K的温度范围内,用电容瞬态技术研究了P-N结电场对硅中金施主中心空穴热发射率的影响.测量结果表明电场对热发射率有很强的增强作用,这种作用强烈地依赖于温度...
[期刊论文] 作者：陈开茅,王忠安,
来源：电子科学学刊 年份：1987
本文用DLTS法测量了直拉硅和区熔硅中与铜有关的深能级及其俘获截面,测量了其中部分能级的空间分布,研究了区熔硅中与铜有关深能级的退火特性。结果表明在硅中与铜有关的深能...
[会议论文] 作者：陈开茅,顾镇南,
来源：’94秋季中国材料研讨会 年份：1994
...
[期刊论文] 作者：陈开茅,卢殿通,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1989
本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO_2界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷H_(it)(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔG_P≥0.503eV;当栅压使Si-SiO_2界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔG_P时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着......
[期刊论文] 作者：陈开茅,周锡煌,等,
来源：半导体学报 年份：2001
在高真空系统中，将C70膜淀积在n－和p-GaAs(100）衬底上，制成C70／n-GaAs和C70／p-GaAs两种接触，并对它们的电学性质作了研究，结果发现两种接触均为强整流结，在偏压为±1V时，C70／n-GaAs......
[期刊论文] 作者：陈开茅,秦国刚,兰李桥,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1987
本文研究了FZ与CZ硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用.实验表明,这种作用使扩铜并经电子辐照的n型FZ硅出现两个未经报道的新的深中心,E(0.043)和E(0.396).前者只存在于FZ硅而不存在于CZ硅.后者在扩铜并经电子辐照的n型FZ和CZ硅中都存在.电子辐照再加适当温度的热处......
[期刊论文] 作者：刘鸿飞,杨润怀,陈开茅,
来源：稀有金属 年份：1995
利用扫描隧道显微镜／扫描隧道谱研究了掺杂浓度对砷化镓（１００）抛光片真实表面电子特性的影响。在针尖样品间距一定时，ｎ型与Ｂ型砷化镓电导隙都随掺杂浓度的降低而显著增大。ｎ型砷化镓的隧......
[会议论文] 作者：陈开茅,周锡煌,张亚雄,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
...
[期刊论文] 作者：刘鸿飞,杨润怀,陈开茅,
来源：稀有金属 年份：1995
利用扫描隧道显微镜／扫描隧道谱研究了掺杂浓度对砷化镓（１００）抛光片真实表面电子特性的影响。在针尖样品间距一定时，ｎ型与Ｂ型砷化镓电导隙都随掺杂浓度的降低而显著增大。ｎ型砷化镓的隧......
[期刊论文] 作者：陈开茅,陈凯来,王忠安,
来源：半导体学报 年份：2004
本文对MIS结构的C-t过程作了动力学分析.结果表明:一般情况下,界面态只在界面的耗尽和半导体表面反型的过程中对C-t特性有不可忽视的影响;当半导体表面强反型以后,C-t过程的Z...
相关搜索：
