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[会议论文] 作者：高鸿楷,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在80年代外国对中国禁运，中国真正有自己制造的MOCVD设备应该是1986年算起，1986年，当时的中国科学院上海冶金所，在彭瑞伍先生的组织下，制造了中国......
[期刊论文] 作者：高鸿楷,
来源：光机技术 年份：2004
引言 在超高真空中,用铯激活Gap形成的负电子亲和势发射体Gap—Cs,这是一种优良的新型电子倍增材料。它的二次电子发射系数高,且二次电子的发射系数随一次电子能量的增加而...
[期刊论文] 作者：高鸿楷,
来源：光机技术 年份：1977
采用Ga—PCI_3—H_2系统开管式汽相外延的方法,在GaAs衬底上生长掺Zn的GaP单晶。经化学腐蚀去掉GaAs衬底得到自支撑GaP单晶薄膜。 研究了在P型GaAs衬底上外延P—型GaP的生长...
[期刊论文] 作者：高鸿楷,
来源：高速摄影与光子学 年份：1984
引言 荧光屏是真空成象器件的重要组成部分之一,荧光屏的质量好坏,直接关系到整个器件的性能,而影响荧光屏好坏的关键问题,除了制屏工艺外就是荧光粉的质量如何。因此,真空...
[期刊论文] 作者：高鸿楷,云峰,
来源：高速摄影与光子学 年份：1991
用自制常压MOCVD系统,在半绝缘GaAs衬底上生长高Al组份Al_xGa_(1-x)As(其x值达0.83),和Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层结构,表面镜面光亮。生长层厚度从几十到...
[期刊论文] 作者：高鸿楷,赵星,
来源：光子学报 年份：1996
用常压ＭＯＣＶＤ在Ｇｅ衬底上外延生长了ＧａＡｓ单晶层，研究了ＧａＡｓ和Ｇｅ的极性与非极性材料异质外延生长，获得了质量优良的ＧａＡｓ／Ｇｅ外延片，ＧａＡｓ外延层Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽达１６弧秒。１０Ｋ下ＰＬ谱半峰宽为７ｍｅＶ。讨论了极性与非极......
[期刊论文] 作者：朱李安,高鸿楷,
来源：光子学报 年份：1997
用高分辨率多晶多反射Ｘ射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表生半导体材料质量的手段之一。不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同。本文以ＧａＡＳ／ＡｌＧａＡｓ为例，展示了......
[期刊论文] 作者：高瑛,高鸿楷,
来源：光电子技术 年份：1993
微电子和光电子材料兼容的技术是未来功能器件中的一个重要方向,它可以将成熟的Si集成工艺和GaP优良的发光特性结合起来,完成新一代微型显示和集成光学元件。我们用MOCVD方法...
[期刊论文] 作者：高鸿楷,王治平,
来源：高速摄影与光子学 年份：2004
引言 不同类型的荧光粉在电子束激发下,将发射出不同波长的光,不同型号的照相底片其感光灵敏的光谱值也不相同,这是大家所熟知的。因此在使用荧光粉时,就要根据我们的目的不...
[期刊论文] 作者：高瑛,高鸿楷,
来源：光学学报 年份：1995
通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个带谱的发光特性，表明这两个带均属于施主－受主......
[期刊论文] 作者：高鸿楷,张济康,
来源：稀有金属 年份：1993
应用常压 MOCVD 装置制备了透射式 GaAs 光电阴极材料。p 型 GaAs 发射层掺杂浓度为10(?)～10~(19)cm~(-3),少子扩散长度为4.02μm。Al_xGa_(1-x)As 层的铝组份含量达0.83光谱...
[期刊论文] 作者：高鸿楷,张济康,
来源：光子学报 年份：1992
用常压MOCVD装置,制备了透射式GaAs光电阴极材料。发射层P-型GaAs掺杂浓度到10~(18)-10~(19)cm~(-3),少子扩散长度到4.02μm。AlGaAs层的Al组分含量到0.83,其吸收光谱长波限...
[期刊论文] 作者：高鸿楷,张济康,
来源：高速摄影与光子学 年份：1990
本文介绍的是自行设计与制造的高度自动化MOCVD装置。该装置设有9路流量控制管路,6路源,1路HCl气源及氯气旁路,装置气密性好,8 kg/cm~2正压时,用Snoop溶液检测无泄露。配有真...
[期刊论文] 作者：高鸿楷,陈国夫,
来源：物理 年份：1981
一、引 言在无油超高真空中,用钯激活P型重掺杂的磷化镓(GaP)晶体,形成的负电子亲和势发射体GaP:Cs是一种优良的次级电子发射体它的次级电子发射系数高,而且随一次电子能量的...
[期刊论文] 作者：高鸿楷,朱功夫,王治平,
来源：高速摄影与光子学 年份：1987
一引 言 荧光屏是光电成象器件的重要组成部分之一,荧光屏的质量好坏直接影响到器件的性能,而荧光屏本身的特性与制屏工艺有很大关系。所以在制备荧光屏时,必须对制屏工艺中...
[期刊论文] 作者：高鸿楷,张济康,云峰,
来源：稀有金属 年份：1993
应用常压 MOCVD 装置制备了透射式 GaAs 光电阴极材料。p 型 GaAs 发射层掺杂浓度为10(?)～10~(19)cm~(-3),少子扩散长度为4.02μm。Al_xGa_(1-x)As 层的铝组份含量达0.83光谱...
[会议论文] 作者：高鸿楷,张济康,何益民,
来源：第五届全国光伏技术学术研讨会 年份：1998
...
[期刊论文] 作者：赛小峰,张书明,高鸿楷,侯洵,
来源：光子学报 年份：1996
本文报道制备ＧａＡｓ透射式光阴极过程中窗玻璃与大面积ＧａＡｓ外延片热压粘结工艺的原理和过程，并重点分析抗反射膜的淀积、粘结温度控制和压力大小对粘结结果的影响。...
[期刊论文] 作者：李晓峰,张景文,高鸿楷,侯洵,
来源：光子学报 年份：2002
本文研究了晶体 X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系 ,外延层之间 X射线衍射的非相干叠加以及热应力引起的晶格应变和晶面弯曲对摇摆曲线半峰宽宽窄的影响...
[期刊论文] 作者：李晓婷,汪韬,赛小锋,高鸿楷,
来源：光子学报 年份：2003
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析.另外,对由此材料制成的太阳电...
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