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[期刊论文] 作者：尚家杰,刘宏新,郭丽峰,侯国安,赵艳忠,孙伟,,
来源：高等农业教育 年份：2017
针对深化专业学位研究生培养模式改革,提高培养质量的指导思想,以有限元工程结构分析课程为研究对象进行案例教学实践,提出以锻炼专业学位研究生的高级机械设计和分析能力、...
[期刊论文] 作者：刘宏新,王德福,郭丽峰,刘立意,张影微,赵立军,,
来源：高等农业教育 年份：2017
针对卓越创新能力的内涵对实践教学的更高要求,在深入分析国内外相关研究的基础上,界定了农业机械化及其自动化专业卓越创新人才的核心概念,对实践训练体系进行了总体设计,明...
[期刊论文] 作者：王军喜,王晓亮,刘宏新,胡国新,李建平,李晋闽,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2004
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层，并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析．在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层，其表面粗糙度为0．6nm．研究了GaN...
[会议论文] 作者：王军喜,王晓亮,刘宏新,胡国新,李建平,李晋闽,曾一平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层.研究了GaN外延层中的应力和光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接......
[会议论文] 作者：张南红,王晓亮,王军喜,刘宏新,肖红领,曾一平,李晋闽,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
作用NH源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度为0.88nm.加5.5V偏压,当波长小于363nm时,MSM紫外探测器峰值响应度为1.97A/W;当波长大于383nm时,响应度为6.8×10A/W.......
[期刊论文] 作者：刘喆,王军喜,李晋闽,刘宏新,王启元,王俊,张南红,肖红领,,
来源：半导体学报 年份：2005
采用分子束外延（MBE）生长方法，使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层，在Si（001）衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层，实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力．通过生长并......
[期刊论文] 作者：齐学勤, 刘宏新, 李冬霞, 张长理, 李晓义, 李桂文, 王泽,
来源：河北医药 年份：2015
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[会议论文] 作者：王军喜,孙殿照,王晓亮,刘宏新,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文介绍了在改造过的国产MBE设备上使用NH作氮源,采用GS MBE分法在(00001)AlO衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜....
[期刊论文] 作者：齐学勤,刘宏新,李冬霞,张长理,李晓义,李桂文,王泽合,
来源：河北医药 年份：2015
目的评价分析超声引导腰丛神经阻滞在老年腹股沟疝手术中的麻醉效果及安全性。方法选取2012年2月至2014年2月就诊待行腹股沟疝手术的64例患者,将患者随机分为观察组和对照组,...
[期刊论文] 作者：肖红领,王晓亮,张南红,王军喜,刘宏新,韩勤,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
采用低温氮化铟(InN)缓冲层，利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜．用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜，表面无铟滴．I......
[期刊论文] 作者：肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2005
由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/...
[期刊论文] 作者：肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,
来源：城市道桥与防洪 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：魏萌,李建平,刘宏新,王翠梅,肖红领,王晓亮,李晋闽,王占国,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文研究了高温AlN缓冲层厚度对 Si(111)衬底上GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量的影响，实验采用MOCVD方法在Si(111)衬底上外延生长A、B、C、D、E五个样品，其中高温AlN缓冲层的厚度依次是50、100、150、200、250nm，GaN外延层的厚度都是1μm。使用光学显微镜、AFM和......
[期刊论文] 作者：王晓亮,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,刘宏新,孙殿照,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2004
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm^2／(V·s)，二维电子气浓度为1．0×10^13cm^-2，77K迁移率为2653cm^2／(V·s)，二维电子气浓度为9．6×10^12cm^-2的AlG...
[期刊论文] 作者：胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋,
来源：半导体学报 年份：2003
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN／GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料,所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2．2×...
[期刊论文] 作者：王军喜,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰,
来源：应用光学 年份：2001
利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及...
[期刊论文] 作者：王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,孙殿照,曾一平,李晋闽,孔梅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二...
[期刊论文] 作者：王晓亮,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,刘宏新,孙殿照,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2004
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁...
[期刊论文] 作者：王军喜,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰,
来源：应用光学 年份：2004
利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及...
[期刊论文] 作者：胡国新,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰,
来源：材料科学与工艺 年份：2001
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及A1GaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-3,...
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