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[期刊论文] 作者：孙殿照,刘宏新,王军喜,王晓亮,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：孙殿照,胡国新,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰,
来源：城市道桥与防洪 年份：2001
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：王军喜;王晓亮;孙殿照;刘宏新;胡国新;李晋闽;曾一平;林兰英;,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
氮化镓(GaN)材料在蓝、绿光光电子器件和高温、高频大功率微电子器件领域有着广泛的应用,而材料极性对氮化镓材料及器件有着重要的影响.本文用NH3作氮源,采用气源分子束外延(...
[期刊论文] 作者：胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2003
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[会议论文] 作者：王军喜,王晓亮,孙殿照,刘宏新,胡国新,李晋闽,曾一平,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
氮化镓(GaN)材料在光电子和微电子领域具有重要的应用潜力,而材料极性对氮化镓材料及器件都有着重要的影响.我们用NH作氮源,采用气源分子束外延(GSMBE)方法,通过使用RF-MBE(射频等离子体源分子束外延)GaN作为模板,在(0001)蓝宝石衬底(AlO)上生长出了高质量的镓......
[会议论文] 作者：罗木昌,王晓亮,刘宏新,王雷,李晋闽,孙殿照,曾一平,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延层的质量进行了评价,我们......
[期刊论文] 作者：胡国新,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：材料科学与工艺 年份：2001
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3...
[会议论文] 作者：胡国新,王晓亮,孙殿照,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2.2×10cm,相应的电子迁移率为221cm/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7arcmin;AlN/Ga......
[期刊论文] 作者：王军喜,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,侯洵,林兰英,
来源：应用光学 年份：2001
利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型 型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱 ,系统地研究 Ga N...
[期刊论文] 作者：刘喆,王军喜,李晋闽,刘宏新,王启元,王俊,张南红,肖红领,王晓亮,曾一平,,
来源：半导体学报 年份：2005
采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γAl2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γAl2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过...
[期刊论文] 作者：孙殿照,王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
用自组装的氨源分子束外延 (NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延 (PA-MBE)系统在 C面蓝宝石衬底上外延了优质 Ga N以及 Al Ga N/Ga N二维电子气材料。Ga N膜 (1 .2 μ...
[期刊论文] 作者：胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2003
用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电子气材料 .所获得的掺 Si的 Ga N膜室温电子...
[会议论文] 作者：王晓亮;孙殿照;王军喜;胡国新;刘宏新;刘成海;曾一平;李晋闽;林兰英;,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
用压电极化和自发极化诱导效应设计了AlxGa1-zN/GaNHEMT结构材料,用MBE方法在蓝宝石衬底上对所设计的材料进行了制备.室温HALL测量结果表明,HEMT结构材料的二维电子气浓度和...
[会议论文] 作者：王晓亮,孙殿照,王军喜,胡国新,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10cm,比GaAs基和I...
[会议论文] 作者：孙殿照,王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文报道了使用NH-MBE技术和PA-MBE在C面蓝宝石上外延高质量GaN以及AlGaN/GaN二准电子气材料的结果....
[会议论文] 作者：王晓亮,孙殿照,王军喜,胡国新,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10cm,比GaAs基和I...
[会议论文] 作者：肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,李晋闽,吴荣汉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面形貌的影响,发现V/Ⅲ比和生......
[期刊论文] 作者：王保柱,王晓亮,王晓燕,王新华,郭伦春,肖红领,王军喜,刘宏新,曾一平,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2006
利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGa...
[会议论文] 作者：魏萌[1]李建平[1]刘宏新[1]王翠梅[1]肖红领[2]王晓亮[2]李晋闽[2]王占国[3],
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文研究了高温AlN缓冲层厚度对 Si(111)衬底上GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量的影响，实验采用MOCVD方法在Si(111)衬底上外延生长A、B、C、D、E五个样品，其中高温AlN缓冲层的...
[会议论文] 作者：罗木昌,王晓亮,刘宏新,王雷,李晋闽,张小平,潘华勇,胡国新,孙殿照,曾一平,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
我们用NH作气源的MBE法在Si(111)衬底上外延生长了高质量的AlN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积Al以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征,......
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