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[期刊论文] 作者：李林娜, 薛俊明, 赵亚洲, 李养贤, 耿新华, 赵颖,,
来源：人工晶体学报 年份：2008
氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的...
[期刊论文] 作者：黄宇,孙建,薛俊明,马铁华,熊强,赵颖,耿新华,,
来源：光电子·激光 年份：2006
采用中频磁控溅射工艺，以2％的Al掺杂的Zn（纯度99．99％）金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO：Al（ZAO）薄膜，系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响......
[期刊论文] 作者：孙钟林,薛俊明,耿卫东,于振瑞,陆靖谷,
来源：光电子·激光 年份：2001
为实现OEIC的全Si化,以适应稀土Er发光的宽带隙半导体材料.研究了C-Si基底上注C形成微晶碳化硅(μ c-SiC)的途径.经高浓度注C,在1 100～1 000 ℃ 2 h退火,经X-ray与Raman测试证...
[期刊论文] 作者：薛俊明,黄宇,熊强,马铁华,孙建,赵颖,耿新华,
来源：太阳能学报 年份：2007
利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂（质量百分比2%）的Zn（纯度99.99%）金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO：Al（ZAO）薄膜.利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时......
[期刊论文] 作者：刘佳宇,杨瑞霞,牛晨亮,薛俊明,赵颖,耿新华,
来源：微纳电子技术 年份：2006
采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。电阻率为5．57×10^-4Ω·cm。载流子浓度2．2×10^20cm^-3，霍尔迁移率40．1cm^2／V·s，可见光范围内...
[会议论文] 作者：张德坤, 薛俊明, 王雅欣, 孙建, 任慧志, 耿新华,,
来源： 年份：2003
宽带隙,高电导的P型a-Si合金窗口材料是研制非晶硅太阳电池的关键。与用乙硼烷作为掺杂剂相比,用三甲基硼掺杂可以大幅度降低P材料中的B—B键和B原子的密度,从而有效减少材料...
[期刊论文] 作者：陈新亮,徐步衡,薛俊明,赵颖,张晓丹,耿新华,,
来源：半导体学报 年份：2005
研究了利用LP-MOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响．对XRD和SEM的研究结果表明，B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响．通过优化工艺，当B2H6流量为17sc...
[期刊论文] 作者：黄宇,熊强,薛俊明,马铁华,孙建,赵颖,耿新华,,
来源：兵工学报 年份：2006
ZnO：Al（ZAO）薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关，以掺杂质量2％Al的Zn（纯度99．99％）金属材料做靶，采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响，获得适合太阳电......
[期刊论文] 作者：薛俊明,黄宇,熊强,马铁华,孙建,赵颖,耿新华,
来源：兵工学报 年份：2008
利用中频脉冲磁控溅射方法，以掺杂质量2％～的Zn（纯度99．99％）金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO：A1（ZAO）薄膜，利用湿法腐蚀方法，将平面ZAO薄膜在一定浓度的稀盐酸中浸泡一定时间，使其形成表......
[期刊论文] 作者：耿新华,黄维海,任慧志,薛俊明,张德坤,孙建,
来源：光电子·激光 年份：2004
报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50 A/cm-2,±3 V偏压时开关比接近105的优质非晶...
[期刊论文] 作者：孙建,薛俊明,侯国付,王锐,张德坤,赵颖,耿新华,,
来源：人工晶体学报 年份：2007
本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al...
[期刊论文] 作者：杜鹏,张军芳,李辉,杜晶晶,薛俊明,李同凯,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2017
非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用“喇叭口”结构.通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95～1.5 eV之间的梯次平滑过渡(其中P层窗口层带隙1.9...
[期刊论文] 作者：安会静,雷青松,薛俊明,杨瑞霞,山秀文,李广,,
来源：真空 年份：2011
利用中频脉冲直流磁控溅射法制备了平面ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,研究了沉积压力、衬底温度和溅射功率对AZO薄膜光电性能、薄膜稳定性的影响。结果表明:在较低沉积压力、衬底...
[期刊论文] 作者：山秀文,雷青松,薛俊明,杨瑞霞,安会静,李广,,
来源：真空 年份：2011
采用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)技术,在Corning Eg 2000玻璃上制备非晶硅薄膜,研究了射频功率对薄膜光电性能的影响。结果表明:通过调节功率可获得具有高折射率,高吸收...
[会议论文] 作者：韩晓艳,王岩,薛俊明,耿新华,赵书文,李养贤,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文利用VHF-PECVD方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并分别在白光和红光两种光源下进行了老化实验.通过对比白光光照前后电池开路电压Voc和Raman谱的变化,结...
[会议论文] 作者：王雅欣,孟凡斌,李养贤,薛俊明,周祯华,
来源：第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 年份：2004
本文研究了利用中频脉冲磁控溅射法和Zn:Al合金靶反应溅射制备ZnO:Al透明导电膜时,工作气压、靶电压、O/Ar、本底真空度等参数对材料性能的影响.通过XRD、Hall、分光光度计等...
[会议论文] 作者：薛俊明[1]黄宇[2]孙建[1]赵颖[1]耿新华[1],
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
本文利用中频脉冲磁控溅射方法,采用重量2﹪的Al掺杂Zn(纯度99.99﹪)为靶材制备平面透明导电ZnO:Al薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5﹪的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面...
[会议论文] 作者：王雅欣,孟凡斌,薛俊明,周祯华,李养贤,
来源：第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 年份：2004
本文研究了利用中频脉冲磁控溅射法和Zn:Al合金靶反应溅射制备ZnO:Al透明导电膜时,工作气压、靶电压、O/Ar、本底真空度等参数对材料性能的影响.通过XRD、Hall、分光光度计等...
[会议论文] 作者：刘金彪,薛俊明,徐步衡,周祯华,孙建,赵颖,耿新华,
来源：第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 年份：2004
ZnO:Al薄膜的电学和光学特性与溅射时的氧含量和衬底温度有关，本文以2％的Al 掺杂的Zn（纯度99.99％）金属材料作靶，采用中频磁控溅射技术研究了氧氩比、衬底温度对薄膜电阻率、透过率的影响，获得了适合薄膜太阳能电池要求的透明导电薄膜，其电阻率为5.57×10-4Ωcm，载流子浓......
[会议论文] 作者：俞远高,侯国付,王锐,薛俊明,耿新华,杨瑞霞,
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
在微晶硅太阳电池中,P层作为电池的窗口层对电池的性能有重要影响.本文采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)的方法制备P型氢化微晶硅(c-Si:H)薄膜材料,重点研究了压力变化(200～550Pa)对薄膜沉积速率、电学特性、结构特性的影响.结果发现:沉积速率随压力的......
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