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[期刊论文] 作者：王宁,王奉友,张晓丹,王利果,郝秋艳,刘彩池,赵颖,,
来源：人工晶体学报 年份：2015
因晶体硅是间接带隙半导体材料，其较低的吸收系数限制了对近红外波段入射光的吸收。为此，引入金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备的ZnO薄膜，并通过改变掺杂流量和沉积时间调节Zn......
[期刊论文] 作者：侯振桃,李彦如,刘何燕,代学芳,刘国栋,刘彩池,李英,
来源：物理学报 年份：2016
采用基于密度泛函理论的第一性原理结合投影缀加平面波的方法,研究了GaN中Ga被稀土元素Gd替代以及与邻近N或Ga空位组成的缺陷复合体的晶格常数、磁矩、形成能以及电子结构等...
[期刊论文] 作者：徐岳生,杨新荣,王海云,唐蕾,刘彩池,魏欣,覃道志,
来源：物理学报 年份：2005
通过AB腐蚀 (由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法 ,简称AB腐蚀 )、KOH腐蚀 ,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析 ,对液封直拉法生长的非掺半...
[期刊论文] 作者：王海云,张春玲,唐蕾,刘彩池,申玉田,徐岳生,覃道志,
来源：稀有金属 年份：2004
砷化镓 (GaAs)为第二代半导体材料 ,GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM 2 0 0 2透射电子显微镜 (TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪 (EDXA) ,对半绝缘砷化镓 (SI GaAs)...
[期刊论文] 作者：张帷，郝秋艳，景微娜，刘彩池，冯玉春，ZhangWei，HaoQiuyan，JingWeina，LiuCaichi，FengYuchun,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：徐岳生,杨新荣,郭华锋,唐蕾,刘彩池,王海云,魏欣,
来源：稀有金属 年份：2004
通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析。其结果表明 :碳的微区...
[会议论文] 作者：付生辉[1]刘彩池[1]王海云[1]徐岳生[1]郝景臣[2],
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10-10cm量级;KOH腐蚀液显示位错,密度为10cm量级).发现衬底上的位错对器件跨导没...
[会议论文] 作者：景微娜[1]郝秋艳[2]解新建[2]刘彩池[2]冯玉春[3],
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
在各种GaN生长技术中,MOCVD法是目前使用较多、外延质量较高的一种外延方法。本文研究了一种衬底处理技术对MOCVD外延生长GaN薄膜中应力的影响。本实验在外延生长前用磷酸对...
[会议论文] 作者：杜建[1]陈新亮[2]刘彩池;倪牮;侯国付;赵颖;张晓丹;,
来源：第13届中国光伏大会 年份：2013
氧化铟锡(lndium-Tin Oxide,ITO)同时结合了可见光范围内高透过率和高电导率等特性,被广泛应用于硅基太阳电池.本文研究了反应热蒸发技术低温(～160℃)生长ITO透明导电薄膜过程...
[会议论文] 作者：张红娣,张建强,乔治,张建峰,郝秋艳,李养贤,刘彩池,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文研究了重掺P型(B)和重掺N型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现增强了氧沉淀现象,不同掺杂剂对重掺硅单晶中氧沉淀形态有所不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理......
[期刊论文] 作者：李养贤,刘何燕,牛萍娟,刘彩池,徐岳生,杨德仁,阙端鳞,
来源：物理学报 年份：2002
对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究 .结果表明 :经中子辐照后 ,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区 .清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所...
[期刊论文] 作者：郝秋艳, 刘彩池, 孙卫忠, 张建强, 孙世龙, 赵丽伟, 张建,
来源：物理学报 年份：2005
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[期刊论文] 作者：刘彩池,乔治,周旗钢,王敬,郝秋艳,张建峰,李养贤,任丙彦,
来源：半导体学报 年份：2004
用Secco腐蚀液对直径150mmp型(100)直拉硅单晶片进行择优腐蚀后，得到了流动图形缺陷(FPDs)，并通过原子力显微镜(AFM)对其微观结构进行观察，实验发现，在FPDs缺陷的尖端存在有几百...
[期刊论文] 作者：晋中华,刘伯飞,梁俊辉,王宁,张奇星,刘彩池,赵颖,张晓丹,,
来源：物理学报 年份：2016
高催化活性、低成本、良好工艺兼容性以及高稳定性的析氢催化剂是实现一体化光电化学水解制氢器件的关键,然而传统的贵金属催化剂由于储量稀缺、成本高昂而严重限制了光电化...
[会议论文] 作者：滕晓云[1]郝秋艳[2]刘彩池[2]张丽[3]许贺菊[3]于威[3],
来源：第十届固体薄膜会议 年份：2006
采用脉冲激光沉积法在Si（111) 基片上制备了ZnO 薄膜。利用X 射线衍射、光致发光、扫描电子显微镜等表征技术研究了工作氧压对ZnO 薄膜的结晶特性和光学性能的影响。研究结果...
[期刊论文] 作者：赵丽伟,刘彩池,滕晓云,郝秋艳,朱军山,孙世龙,王海云,徐岳,
来源：半导体学报 年份：2006
采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀...
[期刊论文] 作者：张建强,刘彩池,周旗钢,王敬,郝秋艳,孙世龙,赵丽伟,滕晓云,,
来源：半导体学报 年份：2006
研究了不同气氛下快速预热处理（RTA）后，硅片中的流动图形缺陷（FPDs）密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区（MDZ）之间的关系．硅片经过高温快速预热处理后，再经过800℃（4h）＋1000℃（16h）常规退......
[期刊论文] 作者：孙世龙,刘彩池,郝秋艳,滕晓云,赵丽伟,赵彦桥,王立建,石义,
来源：半导体学报 年份：2006
对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,...
[期刊论文] 作者：孙世龙,刘彩池,郝秋艳,滕晓云,赵丽伟,赵彦桥,王立建,石义,
来源：半导体学报 年份：2004
对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,...
[期刊论文] 作者：赵丽伟,刘彩池,滕晓云,朱军山,郝秋艳,孙世龙,王海云,徐岳,
来源：人工晶体学报 年份：2004
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2....
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