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[会议论文] 作者：曹国华,秦大山,曹俊松,曾一平,李晋闽,
来源：2006中国平板显示学术会议 年份：2006
基于一种有机受主材料(PTCDA)设计了两种极化空穴注入结构,用于有机发光二极管中实现有效的空穴注入.在第一种极化空穴注入结构ITO/PTCDA/Ag/CuPc中,PTCDA和CuPc层之间的Ag可...
[会议论文] 作者：段瑞飞,曾一平,王宝强,朱占平,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
本文使用固源分子束外延(SS-MBE),生长了一系列的变生长温度的In0.37Ga0063As/GaAs(001)量子点.通过对生长样品的原子力显微镜(AFM)测量,发现量子点的形貌强烈依赖于其生长温...
[会议论文] 作者：张晓昕,曾一平,王保强,朱占平,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
由于共振隧穿二极管(RTD)在超高频方面的优异性能,近年来得到了广泛的重视.本文通过对InGaAs/A1As材料的不同尺寸共振隧穿二极管(RTD)的研究,发现对于不同峰谷比和峰值电流密...
[会议论文] 作者：林郭强,曾一平,王晓亮,刘宏新,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
使用NH3源MBE在Si(111)衬底上生长了(0001)面的六方GaN外延层.插入不同层数和组分的AlzGa1-xN缓冲层后,发现AlxGa1-xN层的组分变化越平滑,GaN外延层中的张应力就越小,同时微...
[会议论文] 作者：段瑞飞;曾一平;王宝强;朱占平;,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
大失配异质结构的外延往往会导致SK生长模式的自组织量子点,而生长温度往往对量子点的密度产生很大的影响.为此,我们特意用MBE生长了极低温度下大失配的InGaAs/GaAs外延.结果...
[会议论文] 作者：张晓昕,曾一平,王保强,朱占平,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,...
[会议论文] 作者：李林森,关敏,曹国华,李弋洋,曾一平,
来源：第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份：2009
作者研究了具有新型电荷产生连接层的叠层有机电致发光器件,ITO/NPB/AIq3 Mg:Alq3/MoO3:PTCDA/NPB/Alq3/LiF/Al.叠层有机发光器件在电流密度50mA/cm2下的电流效率为4.2 cd/A,...
[会议论文] 作者：关敏,李林森,曹国华,李弋洋,曾一平,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
我们研究了MoO3掺杂CuPc薄膜作为空穴注入层对有机电致发光器件性能的改善,得到了低压、高流明效率的发光器件.其中器件ITO/50％MoO3:CuPc 5nm/NPB 75nm/296 C545T:Alq3 30nm/A...
[期刊论文] 作者：张福厚,陈江华,李树强,于复生,曾一平,
来源：半导体光电 年份：1998
在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷，获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效应”进行了理论分析。In the quantum wel...
[期刊论文] 作者：吴巨,金鹏,曾一平,王宝强,王占国,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非...
[期刊论文] 作者：刘祯,王晓峰,杨华,段垚,曾一平,,
来源：半导体学报 年份：2010
An 8μm thick Ga-doped ZnO(GZO) film grown by metal-source vapor phase epitaxy was deposited on a GaN-based light-emitting diode(LED) to substitute for the conv...
[期刊论文] 作者：林郭强,曾一平,王晓亮,刘宏新,,
来源：半导体学报 年份：2008
用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上蒸发了Au/Cr和Au/Ti/Al/Ti两种金属缓冲层,然后在金属缓冲层上用气源分子束外延(GSMBE)生长GaN.两种缓冲层的表面都比较平整和均匀,都是具有...
[期刊论文] 作者：段瑞飞,王宝强,朱占平,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2003
用接触式原子力显微镜来观察 4 6 0℃低温下生长的 In0 .35Ga0 .6 5As/ Ga As外延层形貌 .实验发现 ,这种 4 6 0℃低温生长材料的失配外延层既不是层状的 Fvd M生长模式也不...
[期刊论文] 作者：段瑞飞,王宝强,朱占平,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2003
在不同生长条件下 ,生长低组分InGaAs/GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量 .通过对生长条件的优化 ,得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件 ,这对于自组织量子点...
[期刊论文] 作者：李晋闽,郑海群,曾一平,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道１０×１６元二维面阵ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的研究进展．通过表面光栅耦合，采用垂直入射的工作模式，在Ｔ＝８０Ｋ时探测率为２．９×１０（１０）ｃｍ·Ｈｚ（１／２）／Ｗ，电压响应率为１．３×１０４Ｖ／Ｗ．各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于１８％，串音......
[会议论文] 作者：曹国华,秦大山,曹俊松,曾一平,李晋闽,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文采用镁掺杂有机受体材料3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)做为电子注入层、银做为阴极制备了一种新型的有机发光二极管.同传统的Mg:Ag合金电极相比,PTCDA:Mg/Ag对Alq3的电子注入能力略有提高,但是由于银在可见光范围内的反射能力高于Mg......
[会议论文] 作者：杨茹,李国辉,朱红青,曾一平,张方方,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
为了研制光纤通讯用光电三极管，需要在ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中形成Ｐ型基区。选用８０ＫｅＶ４．５×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉１６０ｋｅＶ４×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉离子注入ｎ型ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中进行补偿而得到Ｐ型区，Ｃ－Ｖ测试栽流子剖面分布有比较理想的结果，实现了在２７０－６１０ｎｍ深度上的Ｐ型层。为了制作光电晶体管，要腐蚀至Ｐ区，制作基极欧姆接触，在腐蚀速度......
[期刊论文] 作者：张丹, 阳章友, 曾一平, 魏文静, 黄正勇,,
来源：河南化工 年份：2010
总磷是水质检测中的一项重要指标，传统的检测方法过程复杂，耗时耗能，随着科学技术的发展，出现了许多新方法，使得总磷检测更加简便，快速。...
[期刊论文] 作者：马龙,张杨,戴扬,杨富华,曾一平,王良臣,,
来源：半导体学报 年份：2007
在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品，室温下测量的最高峰．谷电流比为18．39．通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔......
[期刊论文] 作者：沈文娟,王俊,王启元,段垚,曾一平,
来源：功能材料与器件学报 年份：2006
采用二乙基锌（DEZn）和氧化亚氮（N2O）作为锌源和氧源，在低温300℃，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）的方法在Si（100）衬底上制备了ZnO薄膜。通过优化氧锌比，ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长......
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