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[期刊论文] 作者：李养贤,鞠玉林,,
来源：电子显微学报 年份：1990
利用硅中固有杂质与缺陷的相互作用来改善硅片质量以适应硅器件日趋严格的技术要求,逐步形成了目前的“缺陷工程”的内容,而将直拉硅(czsi)进行中子嬗变掺杂(NTD)不仅解...
[期刊论文] 作者：李养贤,鞠玉林,
来源：电子显微学报 年份：1994
中子辐照直拉硅中缺陷的电镜观察李养贤，鞠玉林（河北工学院材料研究中心，天津３００１３０）随着大规模、超大规模集成电路的发展，对半导体硅材料提出了更严格的要求。因为硅片内的缺陷会严重影......
[期刊论文] 作者：鞠玉林,李养贤,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
本文指出，在影响Ｐ型（１００）硅处延埋层图形畸变的诸因素中，衬底晶向偏离度是决定性的。并进一步指出，Ｐ型（１００）硅衬底主晶向朝最近（１１０）晶向偏离２～３°时可得到满意的埋层图形。该角度为最佳偏离度。这一......
[期刊论文] 作者：李养贤,鞠玉林,
来源：半导体学报 年份：1996
衬底晶向偏离度对Ｐ型（１００）硅外延埋层图形畸变影响奶大，在通常的外延生长条件下，当Ｐ型（１００）衬底主晶明最近（１１０）方向偏离２－３°时，可得到十分满意的埋层图形，这个结果对于修订标准具有参考价值，本文......
[期刊论文] 作者：鞠玉林,梁秀红,
来源：河北工业大学学报 年份：2000
实验结果表明ＮＴＤＦＺＳｉ片电阻率下降的幅度与硅片冷却速率有关。在由１２００℃冷却到室温的过程中，冷却速度越快，硅片电阻率下降的幅度越大。另外，样品的厚度也是一个重要因素。实验指出，当样品厚......
[期刊论文] 作者：梁秀红,鞠玉林,
来源：海洋技术 年份：2000
用于制造功率器件的中子辐照区熔硅片，在经过１２５０℃、４０ｈ高温扩硼后，硅片体风电阻率下滑。本文通过实验表明了高温退火后硅片的冷却速率及硅片的厚度对电阻率的影响非常明显。并且介绍......
[期刊论文] 作者：李养贤,鞠玉林,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
对硅片表面氧化层错形成机理进行了探讨。并通过中子辐照在直接硅中引入缺陷，利用辐照缺陷和硅中氧的相互作用，强烈抑制硅片表面氧化层错的产生。...
[会议论文] 作者：鞠玉林,李养贤,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[会议论文] 作者：鞠玉林,李养贤,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：梁秀红,鞠玉林,等,
来源：河北工业大学成人教育学院学报 年份：2000
GaAs衬底与外延层质量，尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能，而超声AB的腐蚀法是一种能准确快速的显示GaAs体缺陷与器件外延层缺陷的检测法，本文提供了超......
[期刊论文] 作者：梁秀红,鞠玉林,等,
来源：河北工业大学成人教育学院学报 年份：2000
扩散硅固态压阻传感器广泛应用于航空航天等军事和民用工业中，而它的压阻应变传感元件主要是用压阻效应制成的，并具有优于其他传感元件的特点，本文详细论述了扩散硅压阻传感器的......
[期刊论文] 作者：梁秀红,姜卫红,鞠玉林,
来源：河北工业大学学报 年份：1998
为了提高砷化镓缺陷检测的可靠性，对熔融ＫＯＨ腐蚀法、ＡＢ腐蚀法和超声ＡＢ腐蚀法三种腐蚀方法进行了可靠性对比实验研究．发现超声ＡＢ腐蚀法操作简便，适用范围广，显示缺陷的可靠性和充分性都很高......
[期刊论文] 作者：梁秀红,鞠玉林,任丙彦,
来源：河北工业大学成人教育学院学报 年份：2000
扩散硅固态压阻传感器广泛应用于航空航天等军事和民用工业中 ,而它的压阻应变传感元件主要是用压阻效应制成的 ,并具有优于其他传感元件的特点。本文详细论述了扩散硅压阻传...
[会议论文] 作者：鞠玉林,梁秀红,张颖怀,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：梁秀红,鞠玉林,姜卫红,
来源：河北工业大学成人教育学院学报 年份：2000
Ga As衬底与外延层质量 ,尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能 ,而超声 AB腐蚀法是一种能准确快速的显示 Ga As体缺陷与器件外延层缺陷的检测法。本文...
[期刊论文] 作者：徐岳生, 李养贤, 刘彩池, 鞠玉林, 唐建, 朱则韶,
来源：RARE METALS 年份：1994
ＦｏｒｍａｔｉｏｎａｎｄＲｅｍｏｖｅｍｅｎｔＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＨａｚｅＤｅｆｅｃｔｓｏｎ（１１１）ｐ－ｔｙｐｅＳｉｌｉｃｏｎＷａｆｅｒｓＸｕＹｕｅｓｈｅｎｇ．；ＬｉＹａｎｇｘｉａｎ；ＬｉｕＣａｉｃｈｉ；ＪｕＹｕｌｉｎ；ＴａｎｇＪｉａｎａｎｄＺｈｕ.........
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