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[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
美国TechnologiesandDevicesInternational(TDI)公司目前正在生产氮化物基半导体器件用的3英寸直径半绝缘材料,即淀积在导电SiC衬底上的10—18μm厚的AlN单晶膜。该产品用作...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
硅工艺技术不断地取得进展,以致硅器件能够与昂贵的GaAs器件匹敌,甚至取而代之。意大利卡塔尼亚大学和卡塔尼亚的STMicroelec-tronics公司的研究人员开发出用于卫星数字视频...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
从事合作研发半导体的Sematech公司提出了一项旨在研究可用作硅MOSFET沟道这一硅基晶体管关键通路材料的研发计划。这项计划首先将研究重点集中在Ge和SiGe上,而长远来看是-族...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
Atmel公司推出一种型号为ATR0981的SiGe基新前端IC,旨在用于宽频段用途,包括手持无线电设备和记录阅读器,其工作频段为300—500MHz。据该公司称,ATR0981前端IC的集成度高,这...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
Intrinsic Semiconductor公司开发出无微管缺陷的SiC衬底。由于微管缺陷(即空洞)是伴随SiC生长的,它贯穿SiC材料,因而使得材料的成品率低,成本高。Intrinsic使用其工业生产设...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
由于缺乏合适的衬底,从而限制了GaN器件的开发和商品化。而现在美国Technologies and Devices International(TDI)公司已开发出首块族氮化物器件用的4英寸直径AlN基半绝缘衬...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
在短短的几年之前,毫米波频率CMOS电路被众多科学圈认为是滑稽可笑的。但是,美国加州大学伯克莱分校的无线研究中心的研究人员开发出能够与无源元件集成的CMOS晶体管,制作出...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
加拿大SiGe Semiconductor公司宣布开发出他们声称是世界上最薄的用于Wi-Fi系统的功率放大器。目前正在生产的采用封装剖面仅0.5mm厚的新型薄纸型封装的这种Range charger SE...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
M/A COM公司开发出一种双线路X波段多功能微波单片集成电路(MMIC),它包容了X波段雷达应用所需的多种发射和接收功能。这种型号为MAMFGM0001DIE的MMIC适用于商业航空电子电路...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
三菱电气公司开发出一种高增益型X级微封装HEMT。该器件非常适用于18-20GHz频段卫星广播接收系统和甚小孔径终端(VSAT)系统中的低噪声放大器。上述产品主要用在Ka波段直播卫...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
全球能源价格飙升,加上产能过剩,促使iSuppli公司调整其对2005年半导体销售额的预测,并对该项产业现行增长周期的展望进行了修改。iSuppli现在预测,全球半导体销售额2005年将...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
创维公司正在开发一种高创新性的双极场效应晶体管(BiFET)工艺技术用于其GaAs基产品。该公司称,这将使其代表性产品更加五彩缤纷,并使得当今小型手持通信装置制造厂家能更加...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
世界上的硅片领先制造商们正在使用Riber公司的星团式分子束外延(MBE)设备研究用ⅢⅤ族半导体材料来延续摩尔定律。具有领先地位的半导体研究中心———比利时大学校际微电子...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
Strategy Analytics公司的GaAs微电子产业五年展望年度报告“2005—2010年GaAs产业预报”预测,2005—2010年GaAs器件总收入将增长36%,2006年将突破30亿美元。今后五年,以蜂窝...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
英飞凌公司透露了他们用SiGe∶C工艺技术制造RF半导体器件。这种SiGe∶C技术是英飞凌公司最新一代HBT的基础,它使得硅基分立晶体管的噪声系数在6GHz下仅0.75dB,6GHz下的增益...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
提供RF和微波硅功率晶体管的APTRF公司的军工与宇航分部最近宣布了一种新系列高功率晶体管,旨在用于高端L波段(14801650MHz)脉冲雷达。上述产品采用最新的芯片设计,并提高工...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
日本芯片制造商东芝公司研制出一种GaN基FET,在6GHz这样的宽带无线通信协议如Wi MAX的重要频段下,其发射功率达到创记录的174W。该公司称,这样的高输出功率是由于优化了外延...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
ParkerVision公司堆出一批超高效率价廉RF功率放大器。该公司采用其专利D2D数字RF收发机技术开发出一种数字功率放大器结构,能够用普通硅制造出高性能低成本RF功率放大器。此...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
日本NEC公司的一个研究小组声称他们打破了采用AlGaN/GaN结构的化合物半导体凹栅MISFET的输出功率记录。该研究小组把他们的这项成果归功于改善了栅绝缘体中的场浓度,而场浓...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2006
美国Cree公司演示了一种用于移动WiMAX用途的新的高功率GaN RF功率晶体管。这种分立晶体管在40V电压下工作,3.3GHz下产生的峰值脉冲RF功率达到创记录的400W,相关功率增益10.6...
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