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[期刊论文] 作者：A.Usui,武一宾,,
来源：半导体情报 年份：1982
通过双生长室工艺研究了与GaAs晶格匹配的InGaP和GaAsP的氢化物VPE。论证了InGaP/GaAs超晶格结构生长的突变而很平坦的界面。用已成熟的氧引入技术的抑制附加壁淀积可精确地...
[期刊论文] 作者：武一宾,张文俊,
来源：半导体情报 年份：1991
分析了在-196～660℃范围内温度及其变化速度对PBN坩埚和Al的机械性能的影响,进而分析了Al坩埚的热应力分布及变化。确定了Al坩埚的维持温度,指明了常用的升温和降温速度对Al坩...
[期刊论文] 作者：武一宾,李中南,,
来源：半导体情报 年份：1985
本文详细介绍了用 LEC 法生长 InP 单晶时,利用“热场杂质效应”生长出载流子浓度在1～30×10~(17)cm~(-3)范围内可控,位错密度为0～10~4cm~(-2)、直径≤40mm 的 InP 单晶。得到...
[期刊论文] 作者：吕晶,杨瑞霞,武一宾,
来源：半导体技术 年份：2004
设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度.采用非接触霍尔方...
[期刊论文] 作者：徐静波,杨瑞霞,武一宾,
来源：半导体技术 年份：2005
利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道...
[期刊论文] 作者：吕晶,杨瑞霞,武一宾,孙莹,,
来源：半导体技术 年份：2010
设计并使用分子束外延（MBE）方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAsPHEMT外延材料，采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对...
[期刊论文] 作者：刘岳巍,杨瑞霞,武一宾,陈昊,,
来源：河北工业大学学报 年份：2006
研究了Ti／Al／Ni／Au多层金属与GaN HEMT结构外延片的欧姆接触，发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关．在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s，获得了ρc为6．94×10^3Ω·...
[期刊论文] 作者：孙莹,杨瑞霞,武一宾,吕晶,
来源：半导体技术 年份：2004
采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱红外探测器外延材料.通过对量子阱红外探测器材料特性和器件特性的实验测试及理论分析,研究了量...
Surface reconstructions and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations durin
[期刊论文] 作者：杨瑞霞,武一宾,牛晨亮,杨帆,,
来源：半导体学报 年份：2010
The growth by molecular beam epitaxy of high quality GaAs epilayers on nonmisoriented GaAs(111)B substrates is reported.Growth control of the GaAs epilayers is...
[期刊论文] 作者：卜夏正,武一宾,商耀辉,王建峰,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
在共振隧穿二极管（RTD）的MBE生长中，用双生长速率和束流调制技术实现了RTD nm级薄层的精细控制；用X射线双晶衍射仪扫描并分析了典型双势垒RTD样品的衍射摇摆曲线；用计算机对样品结......
[期刊论文] 作者：贾月辉, 武一宾, 杨瑞霞, 白晨皓,,
来源：半导体技术 年份：2009
在迁移率谱分析技术中,除了真实反映材料中载流子信息的峰之外,有时还会出现一些没有物理意义的多余峰,即所谓的"映像峰"。这会给实验结果的分析造成一定的假象,甚至会导致错...
[期刊论文] 作者：孙莹,杨瑞霞,武一宾,吕晶,王风,,
来源：半导体技术 年份：2010
采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs／AlxGahAs量子阱红外探测器外延材料。通过对量子阱红外探测器材料特性和器件特性的实验测试及理论分析，研究了量子阱红...
[期刊论文] 作者：陈宏江,杨瑞霞,武一宾,杨克武,
来源：半导体技术 年份：2005
研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/A1 Ga1-xAs结构腐蚀的选择特性,用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌.利用这种选择腐...
[期刊论文] 作者：武一宾,商耀辉,陈昊,芮振璞,袁秀丽,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
从3个层面研究了分子束外延Al 0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As/I nP功率HEMT结构材料生长技术.首先,通过观察生长过程的高能电子衍射(RHEED)图谱, 确立了Ga0.47In0.53As/InP结...
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：电子工艺技术 年份：2007
对GaAs基共振隧穿二极管（RTD）进行了研究，首先用分子束外延（MBE）方法进行AlAs／GaAs／InGaAs双势垒单势阱材料结构的生长。接着用常温光致荧光（PL）方法对结构材料进行了测试分析，其结果显......
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：电子器件 年份：2007
用分子束外延技术（MBE）生长了GaAs基共振隧穿二极管（RTD）的材料结构,利用X射线双晶衍射（XRD）方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1......
[期刊论文] 作者：杨瑞霞,陈宏江,武一宾,杨克武,杨帆,
来源：电子器件 年份：2007
用α台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当...
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：半导体学报 年份：2007
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达...
[期刊论文] 作者：卜夏正,武一宾,商耀辉,牛晨亮,王健,,
来源：微纳电子技术 年份：2015
开发出一种适用于3mm功率器件的新沟道结构的GaAs PHEMT外延材料。分析了提高电子迁移率的途径,讨论了InGaAs电子有效质量和In组分的关系,参考InP HEMT结构的迁移率和沟道电...
[期刊论文] 作者：王建峰,商耀辉,武一宾,牛晨亮,卜夏正,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延（MBE）技术和S-K应变自组装模式,在GaAs（100）衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数：A......
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