真空淀积相关论文
一、轻金属材料10034 新型铝合金3009无镁而有高强度——(Dr.J.Althoff);《Light MetalAge》1979,№6,P.22-27(英)西德 Frankfurt......
最近几年,在生产光学和微电子学薄膜系统中,真空淀积金属氧化物的应用有了迅速的增长。其结果是,淀积过程控制设备的发展也有了进......
用致冷机工作的低温泵证明在研究和发展中是十分成功的。同普通真空泵相比，这种低温系统具有抽速大，获得无碳氢物真空、工作范围宽和......
探讨了淀积时间、衬底温度、多源蒸发以及蒸发速度等因素对真空淀积膜厚度分布的影响。发现对各种淀积膜均存在一定的临界厚度,当......
在真空中淀积金属膜和介电质膜是真空技术的重要应用之一。这种真空淀积技术叫做“PVD”方法(物理汽相淀积法)。PVD方法中,最初采......
氟化镁是广泛用于镀增透膜和其它膜层的唯一的低折射率材料。大家知道,用钽、钨或钼舟以及电子射线可方便地使它蒸发。实验表明,......
薄膜晶体管(TFT)技术和场致发光(EL)薄膜技术结合,制成了一个每吋20条线的大面积集成平板显示器。真空淀积在每个象元上的薄膜晶体......
已用真空淀积研究了小禁带宽度半导体Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te,Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te和Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜。以前有关真空淀积Hg_(1-x)Cd......
微波集成电路的封装要受到多方面因素的约束。它要求损耗低、介电常数高,也就是射频性能要好。这些特点则往往是机械方面困难的来......
本文报导了硫化铅光导绝缘栅场效应晶体管的实验结果。它采用栅电极实现探测度的调制。加上一个负的栅电势便可耗尽n型PbS薄膜载流......
制做了一种能被直流激发,具有导体—半导体—电阻—金属(CSRM)结构的薄膜电致发光(EL)器件。其亮度达50fL,外量子效率为5×10~(-5)......
本文介绍在自动控制蒸发速率条件下金属氧化物反应蒸发的研究和实验。文中详细地叙述了所得的若干研究结果。讨论了用蒸发法真空淀......
在半导体器件和集成电路中,需要应用多种金属薄膜和介质薄膜,金属膜用作器件内部电极的欧姆接触和延伸引出,集成电路各组元件之间......
一、概述从六十年代初期至今十余年内,用来生长砷化镓单晶外延膜的方法主要有两种:一种是利用化学反应从汽相往单晶衬底上淀积砷......
引言利用真空淀积技术制作金属膜电阻器已有三十年历史。三十年来,尽管作了大量的研究与探索,但至今广泛用来制作精密薄膜电阻器......
本文介绍一种集成电路器件用的保护罩。这种保护罩可以卡在扁平式集成电路器件上,使两边的引出线短路,从而防止集成电路器件在运......
在光学系统中,光学元件表面的洁净要求十分严格。例如,高能激光器系统中的光学元件表面存留极微小的颗粒部可能引起烧伤,而在其表......
介绍一种新型的温度传感器——镍膜热敏电阻。该传感器的优良特性已为人们所关注。本文着重探讨镍膜热敏电阻的制作工艺条件对其性......
现代大多数真空淀积系统,利用石英敏感器监控薄膜厚度。其他监控方法还有电离计、光学反射以及电阻监控器。这些方法虽然也能够监......
已批准1.调谐激光器精密光栅转台申请号37200082 齐宗鲁 第8531号 于力行 批准日 88.2.12 王文全
Approved 1. Tuning Laser Pre......
用聚酰亚胺（ＰＩ）垫高ＰＶＤＦ－ＭＯＳＦＥＴ超声传感器的扩展栅电极，当ＰＩ厚度大于５μｍ时，扩展栅电容减少到原来的１／６以下，传感器的灵敏度可提高１１．３ｄＢ。讨论了ＰＩ工艺膜的制备和亚......
简要叙述了介质镀膜对半导体激光器性能的影响。在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器（ＬＤ）、超辐射发光二极管（ＳＬＤ）和发光二极管（ＬＥＤ）上进行了大量的Ａｌ２Ｏ３和ＺｒＯ２减反射膜的工艺研究。......
分子束外延（MBE）一词原来是用来称呼某些化合物特别是砷化镓（GaAs）的外延薄层的真空淀积（外延层晶体的取向和它在上面淀积的衬底的取向......
由于高频、高速光电子器件发展的需要,器件工作层的厚度及尺寸愈来愈小,已经较成熟的液相外延、汽相外延、真空淀积等薄膜制备方法......
